[发明专利]光电二极管的制备方法和光电二极管

权利要求书

1.一种光电二极管的制备方法，其特征在于，包括：

在硅衬底的正侧形成第一离子掺杂区、分压环；

在所述硅衬底的背侧形成第二离子掺杂区；

在所述硅衬底的正侧依次形成氧化物隔离层和介质层；

对所述第一离子掺杂区上方的指定区域的所述氧化物隔离层和所述介质层进行刻蚀，以形成金属接触孔；

在形成所述金属接触孔的正侧形成金属层，并对所述金属层进行刻蚀，以形成金属电极；

在形成所述金属电极后，去除所述介质层，以完成所述光电二极管的制备过程，

其中，所述第一离子掺杂区的离子类型和所述分压环的离子类型相反，所述分压环的离子类型和所述第二离子掺杂区的离子类型相同。

2.根据权利要求1所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，在硅衬底的正侧形成第一离子掺杂区、分压环，具体包括以下步骤：

在所述硅衬底的正侧形成氧化层，刻蚀待形成所述第一离子掺杂区的上方的所述氧化层至第一指定厚度，以形成第一注入窗口；

通过所述第一注入窗口进行第一次离子注入的离子为硼离子，注入剂量范围为1.0E12～1.0E14/cm²，注入能量范围为40～150KeV；

在完成所述第一次离子注入后，进行驱入处理，

其中，所述第一指定厚度大于或等于零。

3.根据权利要求2所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，在所述硅衬底上形成氧化层，刻蚀待形成所述第一离子掺杂区的上方的所述氧化层至第一指定厚度，以形成第一注入窗口，具体包括以下步骤：

以温度范围为900～1200℃的热氧化工艺在所述硅衬底的正侧形成所述氧化层；

图形化刻蚀所述氧化层，以去除所述第一离子掺杂区的上方的氧化层，以形成所述第一注入窗口。

4.根据权利要求3所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，在硅衬底的正侧形成第一离子掺杂区、分压环，具体还包括以下步骤：

刻蚀待形成所述分压环的上方的所述氧化层至第二指定厚度，以形成第二注入窗口；

通过所述第二注入窗口进行第二次离子注入的离子为磷离子或砷离子，注入剂量范围为1.0E14～1.0E16/cm²，注入能量范围为40～150KeV，其中，所述第二指定厚度大于或等于零。

5.根据权利要求4所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，在所述硅衬底的背侧形成第二离子掺杂区，具体包括以下步骤：

在所述硅衬底的背侧进行第三次离子注入，所述第三次离子注入的离子为磷离子或砷离子，注入剂量范围为1.0E14～1.0E16/cm²，注入能量范围为40～150KeV，以形成所述第二离子掺杂区。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，在所述硅衬底的正侧依次形成氧化物隔离层和介质层，具体包括以下步骤：

对形成所述第一离子掺杂区、所述分压环和所述第二离子掺杂区的硅衬底进行驱入处理，所述驱入处理的温度范围为1000～1200℃，时间范围为50～500分钟，以激活所述第一离子掺杂区、所述分压环和所述第二离子掺杂区，同时，形成了所述氧化物隔离层。

7.根据权利要求6所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，在所述硅衬底的正侧依次形成氧化物隔离层和介质层，具体还包括以下步骤：

在形成所述氧化物隔离层的正侧形成氮化硅层，以完成所述介质层的制备，形成所述氮化硅层的温度范围为600～900℃。

8.根据权利要求7所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，在形成所述金属接触孔的正侧形成金属层，并对所述金属层进行刻蚀，以形成金属电极，具体包括以下步骤：

通过金属溅射工艺在形成所述金属接触孔的正侧形成铝-硅-铜合金层；

对所述铝-硅-铜合金层进行图形化刻蚀，以形成所述金属电极。