[发明专利]晶圆热处理的方法

权利要求书

1.一种晶圆热处理的方法，其特征在于，包括：

将至少一晶圆置于一含有一无氧混合气体的环境中，对该至少一晶圆的一表面进行一快速升温处理，使该至少一晶圆升温至一预定高温，该无氧混合气体包含氘气及至少一低活性气体，部分的所述氘气以间隙式杂质型态存在于所述晶圆中，以减缓半导体器件使用过程中的去钝化现象；及

在该至少一晶圆升温至该预定高温之后，将该至少一晶圆置于一含有一含氧气体的环境中，对该至少一晶圆的一表面进行一快速降温处理；

其中，该快速升温处理是以介于600℃/sec至800℃/sec的一温度梯度升温，该快速降温处理是以介于50℃/sec至150℃/sec之间的另一温度梯度从该预定高温降温，该预定高温是介于1200℃至1400℃之间。

2.如权利要求1所述的晶圆热处理的方法，其特征在于，该至少一低活性气体包括氩气和氮气。

3.如权利要求2所述的晶圆热处理的方法，其特征在于，该无氧混合气体中氩气的气体分压介于1％至99％之间。

4.如权利要求2所述的该晶圆热处理的方法，其特征在于，该无氧混合气体中氮气的气体分压介于1％至99％之间。

5.如权利要求1所述的晶圆热处理的方法，其特征在于，该无氧混合气体中氘气的气体分压介于1％至99％之间。

6.如权利要求1所述的晶圆热处理的方法，其特征在于，该含氧气体包含氧气，该氧气的气体分压介于10％至100％之间。

7.如权利要求1所述的晶圆热处理的方法，其特征在于，该含氧气体中包含氧气及含氮气体，该氧气的气体分压介于1％至99％之间，且该含氮气体的气体分压介于1％至99％之间。

8.如权利要求1所述的晶圆热处理的方法，其特征在于，该晶圆中的一氮固溶体浓度是介于1×10¹²原子/cm³至8×10¹⁸原子/cm³之间。

9.如权利要求1所述的晶圆热处理的方法，其特征在于，该晶圆中的一氘固溶体浓度是介于1×10¹²原子/cm³至8×10¹⁸原子/cm³之间。

10.如权利要求1所述的晶圆热处理的方法，其特征在于，该晶圆的一表面形成深度介于3μm至30μm之间的一无缺陷区，该无缺陷区下的一块体区形成多个体微缺陷。

11.如权利要求1所述的晶圆热处理的方法，其特征在于，该将至少一晶圆置于一含有一无氧混合气体的环境中，对该至少一晶圆的一表面进行一快速升温处理，使该至少一晶圆升温至一预定高温的步骤是在该晶圆经切片形成之后至在该晶圆上制作多个半导体器件的一结构之间执行。