[发明专利]互补纳米线半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610120564.8 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN107154428B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互补 纳米 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种互补纳米线半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，该衬底上形成有NMOS有源区域、PMOS有源区域及浅沟槽隔离区域；
在该NMOS有源区域的部分区域和该PMOS有源区域的部分区域上均外延生长锗晶体材料，以形成第一多边体外延线；
部分蚀刻该衬底，使该第一多边体外延线悬空于该衬底上方；
在该NMOS有源区域上方的该第一多边体外延线的周围区域部分外延生长III-V族半导体晶体材料，以形成第二多边体外延线；
在该第一多边体外延线及该第二多边体外延线上沉积介电材料，该介电材料覆盖该第一多边体外延线及该第二多边体外延线；及
在该介电材料上沉积导电材料，以形成包围该第一多边体外延线及该第二多边体外延线的栅极电极，其中该第一多边体外延线作为第一纳米线，该第二多边体外延线作为第二纳米线。
2.如权利要求1所述的互补纳米线半导体器件的制备方法，其特征在于，该第一多边体外延线的形状为棱形。
3.如权利要求1所述的互补纳米线半导体器件的制备方法，其特征在于，形成该第一多边体外延线的步骤包括：该第一多边体外延线的长度介于2纳米至50纳米之间。
4.如权利要求1所述的互补纳米线半导体器件的制备方法，其特征在于，形成该第一多边体外延线的步骤包括：该第一多边体外延线的直径介于2纳米至5纳米之间。
5.如权利要求1所述的互补纳米线半导体器件的制备方法，其特征在于，在该NMOS有源区域的部分区域和该PMOS有源区域的部分区域上均外延生长该锗晶体材料的步骤包括：采用化学气相沉积、分子束外延或原子层沉积的方式生长该锗晶体材料。
6.如权利要求1所述的互补纳米线半导体器件的制备方法，其特征在于，形成该第一多边体外延线的步骤包括：该第一多边体外延线为锗纳米线。
7.如权利要求6所述的互补纳米线半导体器件的制备方法，其特征在于，按质量或重量百分比计算，该锗纳米线中锗含量介于65％至100％之间。
8.如权利要求1所述的互补纳米线半导体器件的制备方法，其特征在于，在该NMOS有源区域上方的该第一多边体外延线的周围区域部分外延生长III-V族半导体晶体材料的步骤包括：该III-V族半导体晶体材料为砷化铟镓。
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