[发明专利]电阻式随机存取存储器有效
| 申请号： | 201610120845.3 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106876583B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 陈达;王炳琨;廖绍憬;许博砚;陈宜秀;沈鼎瀛;吴伯伦;林孟弘 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 | ||
1.电阻式随机存取存储器，其特征在于，包括：
下部电极，设置于基底上；
上部电极，设置于所述下部电极上；
可变电阻层，设置于所述下部电极与所述上部电极之间；
氧交换层，设置于所述可变电阻层与所述上部电极之间，其中所述氧交换层、所述可变电阻层及所述下部电极的侧壁连续地连接，所述氧交换层的外部分被局部氧化；
富氧层，设置于所述氧交换层与所述上部电极之间，所述富氧层的材料是氮氧化钛或氮氧化钽；
侧壁保护层，为氧供应层，至少设置于所述氧交换层的侧壁；以及
阻挡层，设置于所述氧交换层与所述可变电阻层之间，其中所述阻挡层的侧壁连续地连接所述氧交换层及所述可变电阻层的侧壁，所述氧交换层与所述阻挡层的接面处不具有凸出的角部。
2.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述氧供应层还设置于所述下部电极、所述可变电阻层以及所述上部电极的侧壁。
3.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述下部电极、所述可变电阻层，以及所述氧交换层均呈上窄下宽。
4.电阻式随机存取存储器，其特征在于，包括：
下部电极，设置于基底上，所述下部电极与所述基底之间设置顶盖层，其中所述顶盖层的材料包括金属氧化物；
上部电极，设置于所述下部电极上；
可变电阻层，设置于所述下部电极与所述上部电极之间；
氧交换层，设置于所述可变电阻层与所述上部电极之间，其中所述氧交换层、所述可变电阻层及所述下部电极的侧壁连续地连接；富氧层，设置于所述氧交换层与所述上部电极之间，所述富氧层的材料是氮氧化钛或氮氧化钽；以及
侧壁保护层，为盖层，设置于所述下部电极、所述可变电阻层以及所述上部电极的侧壁；以及
阻挡层，设置于所述氧交换层与所述可变电阻层之间，其中所述阻挡层的侧壁连续地连接所述氧交换层及所述可变电阻层的侧壁，所述氧交换层与所述阻挡层的接面处不具有凸出的角部。
5.根据权利要求4所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述盖层的材料包括金属氧化物。
6.根据权利要求5所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述盖层的材料还掺杂有氮。
7.根据权利要求4所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述盖层包括：
第一盖层，设置于所述下部电极、所述可变电阻层以及所述上部电极的侧壁；以及
第二盖层，设置于所述第一盖层上。
8.根据权利要求7所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述第一盖层的材料包括金属氧化物。
9.根据权利要求7所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述第二盖层的材料包括氮化物或金属钛酸盐类。
10.根据权利要求4所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述下部电极与所述可变电阻层均呈上窄下宽。
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