[发明专利]一种硅片抛光装置

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种硅片抛光装置。所述装置，包括：工艺处理腔，所述工艺处理腔用于抛光硅片；旋转盘，所述旋转盘设置在所述工艺处理腔内，所述硅片放置于所述旋转盘上；电机，所述电机设置于所述工艺处理腔下方，并与所述旋转盘相连，用于驱动所述旋转盘旋转；去离子水输送管，所述去离子水输送管用于向所述硅片表面喷射去离子水；氧化性气体输送管，所述氧化性气体输送管用于向所述硅片表面喷射氧化性气体；刻蚀成份输送管，所述刻蚀成份输送管用于向所述硅片表面喷射刻蚀性气体或者刻蚀性液体。使用本发明，硅片表面可以被抛光得非常平整，并且半导体芯片的制备成本将会下降，品质将会提升。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种硅片抛光装置。

背景技术

硅片的表面抛光是半导体、微机电系统、微光电等器件制备过程中非常重要的工艺步骤。抛光后硅片的表面非常平整如镜面，满足微纳器件制备的需要。传统上的硅片抛光是一种使用抛光液进行抛光的多步工艺过程，抛光液是由磨粒和化学液(例如酸)组成。硅片被安全固定在可旋转的转动台上，用压片、毛刷或海绵制成的抛光头压在旋转硅片的表面进行抛光。这种抛光方式被称作化学机械抛光，或“CMP”，已广泛应用三十多年。

在实际应用中，抛光是一种非常复杂的制程，呈现许多挑战和应用。包括旋转速度、压力、时间、抛光液组成、硅片平整度、抛光片的磨损、装载的均匀性等参数均会影响抛光结果。并且，这些机械与化学的处理过程通常需要后续多步修复工艺，减少硅片在抛光过程中所产生的应力，或者清除抛光过程中的细小磨粒和其它污染。同时化学机械抛光耗时很长，特别在半导体芯片生产过程中是非常不经济的。尽管化学机械抛光在行业中得到广泛应用，得是仍然需要新的办法来克服上述提到的缺点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅片抛光装置，所述装置提升了硅片的抛光品质，且抛光成本低。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种硅片抛光装置，包括：

工艺处理腔，所述工艺处理腔用于抛光硅片；

旋转盘，所述旋转盘设置在所述工艺处理腔内，所述硅片放置于所述旋转盘上；

电机，所述电机设置于所述工艺处理腔下方，并与所述旋转盘相连，用于驱动所述旋转盘旋转；

去离子水输送管，所述去离子水输送管用于向所述硅片表面喷射去离子水；

氧化性气体输送管，所述氧化性气体输送管用于向所述硅片表面喷射氧化性气体；

刻蚀成份输送管，所述刻蚀成份输送管用于向所述硅片表面喷射刻蚀性气体或者刻蚀性液体。

上述方案中，当所述刻蚀成份输送管输送刻蚀性气体时，所述硅片抛光装置还包括：

混合气体输送管，所述混合气体输送管一端分别与所述氧化性气体输送管和所述刻蚀成份输送管相连，另一端与所述工艺处理腔相连，用于向所述硅片表面喷射氧化性气体和刻蚀性气体的混合气体。

上述方案中，所述硅片抛光装置还包括：

混合器，所述氧化性气体输送管和所述刻蚀成份输送管分别通过所述混合器与所述混合气体输送管相连。

上述方案中，所述硅片抛光装置还包括：

O₃发生器，所述O₃发生器与所述氧化性气体输送管相连，用于产生氧化性气体O₃。

上述方案中，所述硅片抛光装置还包括：

HF液体泵，所述HF液体泵用于将HF液体泵入所述刻蚀成份输送管。

上述方案中，所述硅片抛光装置还包括：