[发明专利]一种三氧化钼薄膜的制备方法及制备的光电器件在审
| 申请号： | 201610121111.7 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105621487A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李京波;钟绵增;吴福根;陈颖 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C01G39/02 | 分类号： | C01G39/02;H01L31/101;H01L31/09 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 510006 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钼 薄膜 制备 方法 光电 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种三氧化钼薄膜的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：
步骤a、将三氧化钼粉末置于石英舟中，并在石英舟的正上方平放清洗干净的S
步骤b、向石英管中通入惰性气体将管中的空气完全排净，调小惰性气体的气流量，并使高温管式炉升温至750-850℃，待反应完全后自然降温，惰性气体为氩气或氮气，高温管式炉的升温速率为20℃/min—40℃/min；
步骤c、待石英管的温度达到室温时取出样品，样品制备完成。
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