[发明专利]一种InSb光导器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种InSb光导器件及其制备方法。

背景技术

现有技术中，光导晶片一般为N型InSb光导器件，其通过红外光照产生电压。这种光导晶片的缺陷是：响应率较低。

发明内容

为克服上述缺点，本发明的目的在于提供一种InSb光导器件及其制备方法，该InSb光导器件的响应率较高。

为了达到以上目的，本发明采用的技术方案是：

一种InSb光导器件，包括InSb光敏元件，所述InSb光敏元件通过扩散法掺杂有P型杂质。

优选地，所述P型杂质为Zn或Cd。

优选地，所述P型杂质的掺杂浓度为5×10¹⁶~1×10¹⁷cm^-3。

优选地，所述InSb光敏元件的厚度为5~15μm。

更优选地，所述InSb光敏元件的厚度为10μm。

本发明采用的又一技术方案是：

一种所述的InSb光导器件的制备方法，包括以下步骤：取高纯InSb光敏元件，采用扩散法向高纯InSb光敏元件内扩散掺杂P型杂质，获得所述掺杂有P型杂质的InSb光敏元件。

优选地，将高纯InSb光敏元件和P型杂质：Sb源放置于双温区真空石英管内，高纯InSb光敏元件区的温度为400~500℃，P型杂质：Sb源区的温度低于高纯InSb光敏元件区的温度。

优选地，取高纯InSb晶体材料，通过切割、研磨、抛光、光刻成型制得厚度为5~15μm的高纯InSb光敏元件。

更优选地，高纯InSb光敏元件的厚度为10μm。

由于采用了上述技术方案，相较现有技术具有以下优点：

由于在InSb光敏元件中掺杂P型杂质，本发明的InSb光导器件为一种高性能的室温InSb光导器件，响应率较高；本发明的InSb光导器件的制备采用扩散法，具有较高的产率。

具体实施方式

下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解。

本实施例中的InSb光导器件，其为一种具有高响应率的高性能室温InSb光导器件，它包括InSb光敏元件，InSb光敏元件通过扩散法掺杂有P型杂质。

本实施例中，选用Zn（锌）或Cd（镉）作为P型杂质。P型杂质的掺杂浓度为5×10¹⁶~1×10¹⁷cm^-3InSb光敏元件的厚度为5~15μm，优选为10μm。

本实施例还提供了一种上述的InSb光导器件的制造工艺，包括以下步骤：

取高纯InSb晶体材料（为N型InSb材料，不含P型成分），通过切割、研磨、抛光、光刻成型等技术制得厚度为5~15μm（优选为10μm）的高纯InSb光敏元件，将高纯InSb光敏元件和Zn（Cd）：Sb源放置于双温区真空石英管内，高纯InSb光敏元件区的温度为400~500℃，Zn（Cd）：Sb源区的温度稍低于高纯InSb光敏元件区的温度，通过改变源温可控制掺杂浓度，向高纯InSb光敏元件内扩散掺杂P型杂质，获得掺杂有P型杂质的InSb光敏元件。相比掺杂生长晶体，本实施例的制造工艺具有较高的产率。

以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。