[发明专利]一种超低功耗高电源抑制比电压基准源电路

权利要求书

1.一种超低功耗高电源抑制比电压基准源电路，其特征在于，包括顺次电连接的启动电路单元、电流产生电路单元及输出电压基准电路单元；

所述启动电路单元用于提供启动电压，避免电压基准源电路工作在零状态区；

所述电流产生电路单元用于为输出电压基准电路单元产生工作电流，同时使电压基准源电路的功耗降低；

所述输出电压基准电路单元用于实现零温度系数和高电源抑制比的电压基准输出；

所述启动电路单元包括NMOS管MS1、MS2，以及PMOS管MC，MC的漏极和源极均与电源连接，MC的栅极与MS2的栅极相连，MS2的漏极和源极分别引出第一启动信号输出端和第二启动信号输出端，向电流产生电路单元提供启动信号，MS1的漏极与MS2的栅极连接，MS1的源极接地，MS1的栅极连接到电压基准源输出端V_REF；

所述电流产生电路单元包括NMOS管M1、M2、M3、M4、M11、M12和PMOS管M13、M14、M15；所述M13、M14和M15以电流镜结构连接，即M13栅极和漏极相连，M13、M14和M15的栅极连接并引出产生电流输出端，且与所述启动电路单元的第一启动信号输出端连接，M13、M14和M15的源极接电源；M3和M4分别接成二极管形式，即M3和M4各自的栅极和漏极相连，M3和M4的源极接地，M1的源极和M3的漏极连接，M1的漏极和M14的漏极连接，M2的源极和M4的漏极连接，M2的漏极和M15的漏极连接，M2的漏极和栅极均与M1的栅极连接，并与所述启动电路单元的第二启动信号输出端连接；M12的栅极与M1的漏极连接，M12的漏极和M13的漏极连接，M11的漏极和M12的源极连接，M11的栅极接到漏极，连接成二极管形式，M11的源极接地。

2.根据权利要求1所述的超低功耗高电源抑制比电压基准源电路，其特征在于，所述电流产生电路单元中的M1、M2工作在饱和区，M3、M4、M11、M12、M13、M14、M15工作在亚阈值区。

3.根据权利要求1所述的超低功耗高电源抑制比电压基准源电路，其特征在于，所述输出电压基准电路单元包括PMOS管M10、M16、M17、M18和NMOS管M5、M6、M7、M8、M9；所述M16、M17、M18的栅极相连，作为输出电压基准电路单元的输入端，与所述电流产生电路单元的产生电流输出端连接，M16、M17、M18的源极接电源，M5的漏极和栅极以及M6的栅极与M16的漏极连接，M6的漏极与M5的源极连接，M6的源极接地，M7的源极与M6的漏极连接，M7的漏极与M17的漏极连接，M7的栅极接到基准输出端；M8的漏极接电源，M8的栅极与M7的漏极连接，M9的漏极与M8的源极连接，M9的栅极接到所述M4的栅极，M10的栅极与M9的漏极连接，M9的源极与M10的漏极接地，M10的源极与M18的漏极连接，并连接到电压基准源输出端V_REF。

4.根据权利要求3所述的超低功耗高电源抑制比电压基准源电路，其特征在于，所述输出电压基准源电路单元中所有MOS管均是工作在亚阈值区。

5.根据权利要求1-4任一项所述的超低功耗高电源抑制比电压基准源电路，其特征在于，所述电源的电压为1.8V。