[发明专利]一种产生高阶矢量耗散孤子的新方法

权利要求书

1.一种产生高阶矢量耗散孤子的新方法，其特征在于：包括泵浦源(1)、波分复用器(2)、掺铒光纤(3)、光耦合器(4)、偏振控制器(5)、光环行器(6)、半导体可饱和吸收镜(7)和偏振控制器(8)、偏振分束器(9)；波分复用器(2)、掺铒光纤(3)、光耦合器(4)、偏振控制器(5)、光环行器(6)、半导体可饱和吸收镜(7)通过单模被动光纤依次连接成光纤环形腔，泵浦源(1)通过波分复用器的泵浦光输入端口把泵浦光注入光纤环形腔，所述光耦合器(5)的输出端输出腔内振荡产生的基阶矢量耗散孤子，偏振控制器(8)联合偏振分束器(9)将基阶矢量耗散孤子转变为高阶矢量耗散孤子激光脉冲。

2.如权利要求1所述的一种产生高阶矢量耗散孤子的新方法，其特征在于:所述的泵浦源(1)为单模光纤耦合的半导体激光器，其中心波长位于1480nm。

3.如权利要求1所述的一种产生高阶矢量耗散孤子的新方法，其特征在于:所述波分复用器(2)的工作波长是1480/1550nm，由色散补偿光纤制成。

4.如权利要求1所述的一种产生高阶矢量耗散孤子的新方法，其特征在于:所述掺铒光纤(3)作为激光增益介质。

5.如权利要求1所述的一种产生高阶矢量耗散孤子的新方法，其特征在于:所述光纤耦合器(4)由色散补偿光纤制成。

6.如权利要求1所述的一种产生高阶矢量耗散孤子的新方法，其特征在于:半导体可饱和吸收镜(7)通过光环行器(6)的6b一端耦合进腔内形成光纤兼容型器件。

7.如权利要求1所述的一种产生高阶矢量耗散孤子的新方法，其特征在于:所述偏振控制器(5)、(8)为三片线圈旋转式或挤压式。

8.如权利要求1所述的一种产生高阶矢量耗散孤子的新方法，其特征在于:所述偏振分束器(9)为光纤耦合型。

9.如权利要求1所述的一种产生高阶矢量耗散孤子的新方法，具体步骤如下：通过腔外偏振控制器有效调节腔内输出的基阶矢量耗散孤子两正交成分之间的相位，随后基阶矢量耗散孤子通过偏振分束器，基阶矢量孤子的两个正交成分分别在偏振分束器的横轴和纵轴上投影。当两正交成分之间的相位差为2π的整数倍且与光分束器的入射角度合适时，投影结果产生高阶矢量耗散孤子。

10.如权利要求1所述的一种产生高阶矢量耗散孤子的新方法，其特征在于：腔外偏振控制器可以调节覆盖整个2π的相位空间；光纤耦合的偏振分束器的2个输出端口所用光纤为保偏光纤，因此获得的高阶矢量耗散孤子输出能保持其偏振态。