[发明专利]一种PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法

权利要求书

1.一种PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述方法为：对PDMS微流控芯片进行等离子体活化处理和硅烷化处理，而后在交联剂作用下与多聚赖氨酸共价结合，实现对PDMS微流控芯片表面的多聚赖氨酸修饰；

所述在交联剂作用下与多聚赖氨酸共价结合的方法为：将硅烷化处理后的PDMS微流控芯片置于多聚赖氨酸溶液中，在交联剂的作用下进行共价结合；

所述交联剂为1-乙基-3(3-二甲氨丙基)碳二亚胺/N-羟基琥珀酰亚胺、戊二醛、4-马来酰亚胺基丁酸-N-琥珀酰亚胺酯、3-马来酰亚胺基苯甲酸琥珀酰亚胺酯中的任意一种或至少两种的组合。

2.根据权利要求1所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述等离子体活化处理为：PDMS微流控芯片经初步超声清洗后，用等离子体活化处理1-15min。

3.根据权利要求2所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述等离子体活化处理为：PDMS微流控芯片经初步超声清洗后，用等离子体活化处理3-10min。

4.根据权利要求1所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述等离子体活化处理时等离子体发生功率为10-20kw，等离子体空气流量200-300mL/min。

5.根据权利要求2所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述超声清洗为利用去离子水进行超声清洗。

6.根据权利要求1所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述硅烷化处理为将等离子体活化处理后的PDMS微流控芯片置于硅烷化试剂溶液中进行硅烷化处理，得到硅烷化处理的PDMS微流控芯片。

7.根据权利要求6所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述硅烷化试剂为3-氨丙基三甲氧基硅氧烷、二氯二甲基硅烷、三甲基氯硅烷或六甲基二硅氨烷中的任意一种或至少两种的组合。

8.根据权利要求7所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述硅烷化试剂为3-氨丙基三甲氧基硅氧烷。

9.根据权利要求6所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述硅烷化试剂溶液为硅烷化试剂的乙醇溶液，浓度为0.1-10％。

10.根据权利要求9所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述硅烷化试剂溶液的浓度为1-2％。

11.根据权利要求1所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述硅烷化处理的温度为50-70℃。

12.根据权利要求11所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述硅烷化处理的温度为60-65℃。

13.根据权利要求1所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述硅烷化处理的时间为25-90min。

14.根据权利要求13所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述硅烷化处理的时间为45-75min。

15.根据权利要求1所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述交联剂为1-乙基-3(3-二甲氨丙基)碳二亚胺/N-羟基琥珀酰亚胺。

16.根据权利要求1所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述交联剂的用量使得其在反应体系中的浓度为0.05-10mg/mL。