[发明专利]一种干法刻蚀装置及方法

权利要求书

1.一种干法刻蚀装置，其特征在于，包括真空刻蚀腔、同轴圆波导、用于承载待刻蚀基板的承载件、与同轴圆波导连接的同轴微波源；其中：

所述同轴圆波导设置于所述真空刻蚀腔内部，用于传输所述同轴微波源产生的电磁波以激发等离子体，使得所述等离子体刻蚀位于同轴圆波导下方的待刻蚀基板；

还包括至少一个气压缓冲腔，设置于所述真空刻蚀腔的入口和/或出口位置；

气压缓冲腔用于向所述待刻蚀基板提供一个小于正常大气压、高于真空气压的过渡气压；

还包括轨道，所述轨道设置在所述承载件的下方，用于将待刻蚀基板从所述真空刻蚀腔的入口进入所述同轴圆波导下方的刻蚀区域，并将刻蚀完成后的所述待刻蚀基板传输到所述真空刻蚀腔的出口；

所述轨道下方设置有衬底电极；该衬底电极与一负电压连接，用于产生电场。

2.根据权利要求1所述的干法刻蚀装置，其特征在于，所述同轴微波源频率大于设定值，所述同轴微波源设置有两个；所述同轴圆波导两端伸出所述真空刻蚀腔并分别与一个同轴微波源相连。

3.根据权利要求1所述的干法刻蚀装置，其特征在于，还包括多个磁场产生机构，用于在所述真空刻蚀腔内部产生磁镜场，使得所述真空刻蚀腔接近侧壁位置和顶部腔壁的位置的磁场强度大于远离侧壁位置的磁场强度。

4.根据权利要求3所述的干法刻蚀装置，其特征在于，所述磁场产生机构设置有三组，分别设置于所述真空刻蚀腔的两侧和顶部；每组磁场产生机构的N极和S极相对上下设置；顶部磁场产生机构的磁力线方向与两侧的磁场产生机构的磁力线方向相反。

5.根据权利要求1所述的干法刻蚀装置，其特征在于，所述真空刻蚀腔为长方体形腔体，所述同轴圆波导沿着所述长方体形腔体长度方向设置，所述轨道沿着所述长方体形腔体宽度方向输送目标物。

6.根据权利要求1-5任一项所述的干法刻蚀装置，其特征在于，所述同轴微波源的频率为2.45GHZ。

7.根据权利要求1所述的干法刻蚀装置，其特征在于，还包括与所述轨道或所述同轴圆波导连接的升降机构，用于调整所述轨道与所述同轴圆波导之间的距离。

8.根据权利要求1所述的干法刻蚀装置，其特征在于，还包括：

与所述承载件连接、用于驱动所述承载件在所述轨道上传输的驱动电机，所述驱动电机能够调节所述承载件在所述轨道上的传输速度。

9.一种干法刻蚀方法，其特征在于，采用权利要求1-8中任意一项所述的干法刻蚀装置对待刻蚀基板进行干法刻蚀；包括：

调整所述待刻蚀基板在所述同轴圆波导下方的刻蚀时间，使得所述待刻蚀基板的刻蚀深度达到设定值。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

增加所述承载件与所述同轴圆波导之间的距离，使得化学刻蚀程度增加；

或，减少所述承载件与所述同轴圆波导之间的距离，使得化学刻蚀度减少。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

调整所述待刻蚀基板在所述轨道上传输的速度，使得所述待刻蚀基板在所述同轴圆波导下方的一定刻蚀时间以使得刻蚀深度达到设定值。