[发明专利]一种TiAlN/MoN多层膜复合涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种TiAlN/MoN多层膜复合涂层，沉积于基体上，其特征在于：所述的 TiAlN/MoN多层膜复合涂层由下至上依次为金属结合层、过渡层以及复合多层，其中金 属结合层沉积在基体上，金属结合层为TiAl或Mo，其厚度为50～100纳米，所述过渡 层为TiAlN或MoN，其厚度为50～500纳米，所述复合多层为TiAlN和MoN交替沉 积，其中单层TiAlN的厚度为5～50纳米，单层TiAlN中Al元素的原子百分数为30％～ 66％，单层MoN的厚度为5～50纳米，复合多层的总厚度为1～12微米。

2.根据权利要求1所述的TiAlN/MoN多层膜复合涂层，其特征在于：所述的基体 为硬质合金、不锈钢、高速钢、碳钢或模具钢。

3.根据权利要求1所述的TiAlN/MoN多层膜复合涂层，其特征在于：所述复合多 层中TiAlN、MoN均为纳米晶，晶粒尺寸为5～10nm。

4.权利要求1所述的TiAlN/MoN多层膜复合涂层的制备方法，其特征在于包括以 下步骤：

(1)、预处理：对基底进行清洗，去除表面的油污及其他附着物，吹干后放入镀膜机 中，抽真空至预先设定的真空度；

(2)、溅射清洗：用离子轰击清洗基底表面；

(3)、沉积金属结合层：沉积条件为：温度为200～400℃，气压3×10^-3Pa，偏压－800V～ －1000V；TiAl靶或Mo靶电流大小为80A；通过调整沉积参数控制金属结合层厚度；

(4)、沉积过渡层：沉积条件为：200～400℃，氮气环境下，气压1～2Pa，偏压－ 100V～－200V，TiAl靶或Mo靶电流大小为80A，通过调整沉积参数控制金属结合层 厚度；

(5)、沉积复合多层：200～400℃，氮气环境下，气压1～2Pa，偏压－100V～－200V， TiAl靶以及Mo靶电流大小为70A，在过渡层上交替沉积TiAlN层和MoN层，直至复 合多层的厚度达到1～12微米；

(6)、后处理：根据需要对TiAlN/MoN多层膜复合涂层进行原位退火或在一定真空 度下自然冷却至室温。