[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部、横跨所述鳍部的栅极结构、位于栅极结构两侧侧壁的侧墙、以及覆盖所述栅极结构和侧墙的层间介质层，所述层间介质层包括覆盖所述侧墙侧壁的第一层间介质层和位于第一层间介质层、栅极结构和侧墙上的第二层间介质层；

刻蚀部分厚度的第二层间介质层，形成介质层凸起，所述介质层凸起位于相邻鳍部之间、以及相邻栅极结构之间的层间介质层和侧墙的上方；

形成覆盖所述介质层凸起顶部及侧壁表面的保护层后，形成覆盖所述层间介质层和保护层的平坦层；

在所述平坦层上形成具有沟槽图形开口的掩膜层，所述沟槽图形开口的位置对应相邻的栅极结构之间的区域；

以所述掩膜层和保护层为掩膜向下刻蚀平坦层和层间介质层，形成贯穿所述层间介质层的接触孔，所述接触孔的底部位于相邻栅极结构之间；

去除所述掩膜层和平坦层。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤为：

在所述层间介质层和所述介质层凸起的表面形成保护层；

将所述介质层凸起表面之外的位于层间介质层表面的保护层去除。

3.根据权利要求2所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的工艺为原子层沉积工艺、等离子体化学气相沉积工艺或亚大气压化学气相沉积工艺。

4.根据权利要求2所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，将所述介质层凸起表面之外的位于层间介质层表面的保护层去除的工艺为干刻工艺。

5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为120埃～180埃。

6.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化钛、氮化铜、氮化硼或氮化铝。

7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述介质层凸起的高度为400埃～700埃。

8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述平坦层的材料为含碳有机层或底部抗反射层。

9.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为氧化硅、氮氧化硅或者碳氧化硅。

10.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，向下刻蚀平坦层和层间介质层以形成所述接触孔的工艺为各向异性干法刻蚀工艺。

11.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在所述接触孔中填充导电层。