[发明专利]一种透光太阳能电池组件在审
申请号: | 201610130729.X | 申请日: | 2016-03-09 |
公开(公告)号: | CN105762212A | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 陆希悦 | 申请(专利权)人: | 苏州天擎电子通讯有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/048 |
代理公司: | 北京瑞思知识产权代理事务所(普通合伙) 11341 | 代理人: | 张建生 |
地址: | 215011 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透光 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域,特别是涉及一种透光太阳能电池组件。
背景技术
在当今能源短缺的现状下,光伏产业的兴起给我们带来了新的动力。除了将太阳能电池组件用于发现外,还可用于建筑建设中作为屋顶、窗户、幕墙或者它们的一部分,从而给室内增加透光度和热能。但太阳能组件通常不透光,不能满足室内透光的要求。目前市面上透光薄膜太阳电池组件大多采用绿激光或红外激光进行横向划刻,以去除硅层和背电极层来达到透光目的,但该种制造方法样式单一,且多次划刻破坏电池结构,同时造成短路等影响,导致电池有效面积损失远大于蚀刻面积,从而影响组件的性能表现,存在多种弊端。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种透光太阳能电池组件,能够解决目前制备透光太阳能带来的上述不足之处。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种透光太阳能电池组件,自上向下依次包括:前板透光衬底层、第一导电氧化物层、热熔胶膜层、第二导电氧化物层、封装层、背板透光衬底层和陶瓷膜片层;所述热熔胶膜层内置有光电转化薄膜和太阳能电池片;所述第一导电氧化物层和第二导电氧化物层内置有导电片;所述太阳能电池片间隔式嵌入在所述光电转化薄膜中,所述导电片穿过所述热熔胶层与所述光电转化薄膜或太阳能电池片相接。
在本发明一个较佳实施例中,所述第一导电氧化物层、第二导电氧化物层、热熔胶层、封装层和陶瓷膜片层均为透明状。
在本发明一个较佳实施例中,所述第一导电氧化物层和第二导电氧化物层为TCO薄膜。
在本发明一个较佳实施例中,所述封装层为PVB膜。
在本发明一个较佳实施例中,所述光电转化薄膜为非晶硅单结薄膜电池层,非晶硅/非晶硅双结薄膜电池层,非晶硅/非晶锗化硅双结薄膜电池层,非晶硅/微晶硅双结薄膜电池层、非晶硅/非晶锗化硅/微晶硅三结薄膜电池层,铜铟镓硒电池层、碲化镉电池层中的任意一种。
本发明的有益效果是:本发明一种透光太阳能电池组件,结构简单、轻便、设计合理,使得太阳能电池板具有多色透光性能,提高了太阳能转化率和室内透光性,且保持了电池的完好性,不是一种综合性能优异的透光太阳能电池组件。
附图说明
图1是本发明一种透光太阳能电池组件一较佳实施例的立体结构示意图;
附图中各部件的标记如下:1.前板透光衬底层,2.第一导电氧化物层,3.热熔胶膜层,4.第二导电氧化物层,5.封装层,6.背板透光衬底层,7.陶瓷膜片层,8.光电转化薄膜,9.太阳能电池片,10.导电片。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
请参阅图1,本发明实施例包括:
一种透光太阳能电池组件,包括自上向下依次粘结的前板透光衬底层1、第一导电氧化物层2、热熔胶膜层3、第二导电氧化物层4、封装层5、背板透光衬底层6和陶瓷膜片层7。
所述热熔胶膜层3内置有光电转化薄膜8和太阳能电池片9;且太阳能电池片9间隔式嵌入在所述光电转化薄膜8中。
所述第一导电氧化物层2和第二导电氧化物层4均为透明的TCO薄膜,其内置有导电片10,且导电片10部分穿过所述热熔胶层与所述光电转化薄膜或太阳能电池片相接。透明导电氧化物(transparentconductiveoxide,简称TCO)薄膜主要包括In、Sb、Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。
所述第一导电氧化物层2、第二导电氧化物层4、热熔胶层3、封装层5和陶瓷膜片7层均为透明状,其中所述封装层为PVB膜。
所述光电转化薄膜8为非晶硅单结薄膜电池层,非晶硅/非晶硅双结薄膜电池层,非晶硅/非晶锗化硅双结薄膜电池层,非晶硅/微晶硅双结薄膜电池层、非晶硅/非晶锗化硅/微晶硅三结薄膜电池层,铜铟镓硒电池层、碲化镉电池层中的任意一种。
上述太阳能电池组件的透光制备方法为:采用532nm绿激光在5~10μm的范围之内进行重复划刻。
光电转化薄膜和PVB膜赋予太阳能电池组件多色透光性能。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的