[发明专利]多晶硅金属污染防止方法和被多晶硅接触的构件

说明书

本申请是申请号为201080040726.8(PCT/JP2010/066187)、申请日为2010年9月17日、发明名称为“多晶硅金属污染防止方法”的申请的分案申请

技术领域

本发明涉及一种防止多晶硅的金属污染的方法，进一步详细而言，涉及一种防止由于多晶硅与金属基材的接触而产生的多晶硅的金属污染的方法。

背景技术

多晶硅用作半导体或太阳能发电用晶圆的原料，要求具有高纯度，特别是根据要避免电阻值等电特性下降的观点，需要极力防止金属杂质的混入。

然而，一般而言，多晶硅是通过利用氢等还原三氯硅烷等硅化合物而制造的，且是以杆状或较大的块状物的形状获得的。将以上述的形状所获得的多晶硅粉碎，接着利用蚀刻去除在粉碎时附着的污染物，并经过清洗工序以及干燥工序，向单晶硅制造工序输送。在上述的过程中，例如使用有各种金属制构件(例如进料管、料斗、粉碎台、蚀刻槽、清洗槽、干燥机等)，因此需要防止由与上述金属制构件的接触引起的多晶硅的金属污染。

为了避免多晶硅的金属污染，最简单的方法是使用树脂制构件代替金属制构件，例如在专利文献1的段落[0003]中，在指出多晶硅的金属污染成为问题之外，还指出在多晶硅与金属接触的部分使用树脂制构件。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11－169795号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，树脂制构件与金属制构件相比存在强度、耐久性的问题，因此基本上无法将金属制构件本身替换为树脂制构件，例如对于在上述举例说明的料斗等金属制构件，实际情况为通过在金属制构件的表面上设置树脂制的保护罩(cover)而进行应对。

可是，即使在设有树脂制的保护罩的情况下，还残留有问题。即，与金属制品相比，树脂制品因磨损等导致的消耗较为严重。因此，在设有树脂制保护罩的情况下，存在由于树脂制保护罩的磨损而使金属表面暴露出来，因此产生多晶硅的金属污染的问题。此外，也存在以下问题，即，为了可靠地避免上述的问题，不仅必须频繁地进行品质管理，而且为了发现通过树脂制保护罩发生磨损而使金属表面暴露出来的部分，必须详细地检查整个构件，特别是在金属制构件较大、在大面积的部分上设有树脂制保护罩时，品质管理工作的负担极大。

因而，本发明的目的在于提供一种通过在与多晶硅接触的金属基材的表面上设置树脂制保护罩而防止多晶硅的金属污染的方法，该方法能够可靠地防止由该保护罩的磨损引起的金属的表面暴露。

本发明的另一目的在于提供一种多晶硅金属污染防止方法，该方法能够迅速地发现树脂制保护罩的磨损，从而能够减轻品质管理工作的负担。

用于解决问题的方案

根据本发明，提供一种多晶硅金属污染防止方法，其通过在多晶硅所接触的金属基材的表面上设置树脂制保护罩而防止由多晶硅与金属基材的接触引起的多晶硅的金属污染，其特征在于，重叠地设置两片树脂片材作为上述树脂制保护罩。

此外，根据本发明，还提供一种被多晶硅接触的构件，其配置于能够接触多晶硅的位置，其特征在于，由金属基材与设于该金属基材上的树脂制保护罩构成，该树脂制保护罩由以重叠状态安装于该金属基材上的两片树脂片材形成，位于上层的该树脂片材的表面成为与多晶硅接触的表面。

作为上述的被多晶硅接触的构件的优选例，可以列举出配置在要将刚制造出的多晶硅导入到单晶硅制造工序之前的过程中的进料管、料斗或粉碎台。

发明的效果

在本发明中，树脂制保护罩通过重叠两片树脂片材而设于金属基材的表面，因此即使配置于上侧的与多晶硅接触的树脂片材(上侧树脂片材)发生磨损并使该上侧树脂片材的下方的表面暴露出来，由于该暴露出来的表面是配置于下侧的树脂片材(下侧树脂片材)的表面，因此也能够防止多晶硅与金属基材的接触，从而能够可靠地防止多晶硅的金属污染。此外，在上侧树脂片材发生了磨损的情况下，仅更换该上侧树脂片材即可，能够降低更换树脂片材的成本。

此外，在本发明中，优选使用树脂制螺栓将上述树脂制保护罩以使两片树脂片材拆卸自如的方式安装于金属基材的表面。由此，能够容易地进行各树脂片材的安装操作以及更换操作，而且毋庸置疑，也能够避免由与螺栓的接触引起的多晶硅的金属污染。