[发明专利]高纯度二氧化硅的工业化生产方法有效
申请号: | 201610131771.3 | 申请日: | 2016-03-09 |
公开(公告)号: | CN105585017B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 应盛荣;姜战;应悦 | 申请(专利权)人: | 衢州市鼎盛化工科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/12 | 分类号: | C01B33/12 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 | 代理人: | 张清彦 |
地址: | 324002 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纯度 二氧化硅 工业化 生产 方法 | ||
1.一种高纯度二氧化硅的工业化生产方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)以工业氟硅酸为原料,与氧化剂在蒸馏塔釜内进行反应和蒸馏,得到纯品氟硅酸;
2)以工业液氨为原料,将其通过精制塔得到纯品气氨;
3)将步骤1)得到的纯品氟硅酸与步骤2)得到的纯品气氨在氨化反应釜内反应,得到二氧化硅固体和氟化铵溶液,将二氧化硅固体通过固液分离设备分离出来得到二氧化硅粗品;
4)将步骤3)得到的二氧化硅粗品依次进行水洗、酸洗、水洗与煅烧,得到高纯度二氧化硅;
其中,所述步骤3)中氨化反应的温度为55℃~115℃,反应压力为0.06MPa~0.35MPa,所述步骤4)的煅烧温度为350℃~850℃。
2.根据权利要求1所述的高纯度二氧化硅的工业化生产方法,其特征在于,所述步骤4)的水洗方式均为采用纯水进行逆流式冲洗。
3.根据权利要求2所述的高纯度二氧化硅的工业化生产方法,其特征在于,所述步骤4)的纯水的电导率为0.055~0.1μs/cm。
4.根据权利要求1所述的高纯度二氧化硅的工业化生产方法,其特征在于,所述步骤4)的酸洗所用酸为电子级酸,所述电子级酸选自硫酸、盐酸、氢氟酸、磷酸与氟硅酸中的一种或者多种。
5.根据权利要求1至4任一项所述的高纯度二氧化硅的工业化生产方法,其特征在于,所述步骤1)的氧化剂为高锰酸钾或过氧化氢。
6.根据权利要求1所述的高纯度二氧化硅的工业化生产方法,其特征在于,所述步骤1)的氧化剂为高锰酸钾或过氧化氢。
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