[发明专利]发光显示器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光显示器件，包括一个或多个像素区域，每个所述像素区域设置有位于基板上的透明式的发光器件，其特征在于，

至少部分所述像素区域设置有位于所述基板和所述发光器件之间，能够在透射与反射模式之间切换的可切换镜，

其中，所述可切换镜包括自下而上层叠的底部透明电极、氢存储电极、质子传导层、在金属反射状态与金属氢化物透射状态之间切换的活性层、以及密封层，其中所述质子传导层和所述密封层相互连接，并且

其中，所述发光器件包括依次层叠设置的像素电极、发光层和正对所述像素电极的反电极。

2.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，所述可切换镜为金属-氢化物可切换镜。

3.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，所述可切换镜与所述发光器件正对设置。

4.根据权利要求3所述的发光显示器件，其特征在于，所述可切换镜与所述发光器件之间设置有平坦层，使得所述可切换镜与所述发光器件正对设置。

5.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，所述可切换镜为80-120纳米厚。

6.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，还包括第一开关晶体管，所述第一开关晶体管的漏电极与所述底部透明电极连接，用于控制所述可切换镜在透射与反射模式之间切换。

7.根据权利要求6所述的发光显示器件，其特征在于，还包括第二开关晶体管，所述第二开关晶体管的漏电极与所述发光器件的像素电极连接，用于控制是否向所述发光器件提供数据信号。

8.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，所述氢存储电极由WO₃、NdMgNi_4-aCo_a、Ti_0.5Al_0.25Ni_0.25、ZrMn_wM_xCr_yNi_z中的至少之一的氢存储合金制成，其中：

NdMgNi_4-aCo_a中的a的范围为0～1.0；

ZrMn_wM_xCr_yNi_z中的M为V或Mo，0.6≤w≤0.8，0.1≤x≤0.3，0<y≤0.2，1.2≤z≤1.5。

9.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，所述质子传导层和所述密封层由ZrO₂、SrCeO₃、BaCeO₃、BaZrO₃中的至少之一的质子传导材料形成，H⁺能够填充在所述质子传导材料中的孔中。

10.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，所述活性层由GdMg、Mg₂Ni、YMg、LaMg中的至少之一的材料形成。

11.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，所述每个像素区域包括一个或多个子像素区域，每个所述子像素区域设置有一个所述可切换镜。

12.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，所述每个像素区域为由多个不同颜色子像素形成的像素区域，每个所述像素区域设置有一个所述可切换镜。