[发明专利]晶片级发光二极管封装件及其制造方法有效
申请号: | 201610132965.5 | 申请日: | 2011-09-05 |
公开(公告)号: | CN105789235B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 徐源哲;葛大成 | 申请(专利权)人: | 首尔半导体株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/46;H01L25/075;H01L33/00;H01L33/20;H01L33/50;H01L33/62 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 发光二极管 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:
第一发光单元和第二发光单元,第一发光单元和第二发光单元中的每个发光单元包括第一半导体层、有源层和第二半导体层,其中,每个发光单元的第二半导体层和有源层提供暴露每个发光单元的第一半导体层的接触区域;
第一保护绝缘层,覆盖每个发光单元的侧壁和顶表面;
连接件,位于第一发光单元和第二发光单元的第一侧上并且使两个相邻的发光单元彼此电连接;
第一凸块,布置在第一发光单元和第二发光单元的第一侧上并且通过第一发光单元的接触区域电连接到第一半导体层;
第二凸块,布置在第一发光单元和第二发光单元的第一侧上并且电连接到第二发光单元的第二半导体层;
第一接触层,布置在暴露的第一半导体层上;
第二接触层,布置在第二半导体层上;以及
第二保护绝缘层,布置在第一凸块与第一接触层之间,
其中,第一半导体层包括粗糙的表面,
其中,当以发光二极管封装件的出光侧为上侧时,连接件直接布置在第二保护绝缘层下方,
其中,连接件通过位于第一发光单元的第一开口和位于第二发光单元的第二开口使第一接触层和第二接触层彼此电连接。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装件,所述发光二极管封装件还包括布置在第一发光单元和第二发光单元的第二侧上的波长转换器,第二侧与第一发光单元和第二发光单元的第一侧相对。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装件,其中,波长转换器位于每个发光单元的第一半导体层的粗糙的表面上。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,第一保护绝缘层布置在第一接触层和第二接触层之间并且覆盖第二接触层。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装件,其中,第二保护绝缘层还布置在第二凸块与第一接触层之间。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装件,其中,第二保护绝缘层和第一保护绝缘层包括穿过第二保护绝缘层和第一保护绝缘层以暴露第二接触层的所述第一开口,并且第二保护绝缘层还包括暴露第一接触层的所述第二开口。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装件,所述发光二极管封装件还包括:
第一电极焊盘,穿过位于第一发光单元的第二开口接触位于第一发光单元的第一接触层;以及
第二电极焊盘,穿过位于第二发光单元的第一开口接触位于第二发光单元的第二接触层,
其中,第一凸块和第二凸块分别接触第一电极焊盘和第二电极焊盘。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装件,所述发光二极管封装件还包括布置在第一凸块和第二凸块的侧表面上的绝缘层。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装件,所述发光二极管封装件还包括布置在第一凸块和第二凸块之间的哑凸块。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装件,所述发光二极管封装件还包括包含第一通孔和第二通孔的基底,第一凸块和第二凸块分别布置在第一通孔和第二通孔中。
11.如权利要求10所述的发光二极管封装件,其中,基底包括布置在基底的下表面中并由金属材料填充的凹槽。
12.如权利要求10所述的发光二极管封装件,其中,连接件布置在与第一电极焊盘和第二电极焊盘相同的水平面处。
13.如权利要求9所述的发光二极管封装件,所述发光二极管封装件还包括布置在哑凸块和连接件之间的第三保护绝缘层。
14.如权利要求6所述的发光二极管封装件,其中,第一保护绝缘层和第二保护绝缘层中的至少一个包括分布式布拉格反射器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的