[发明专利]发光二极管外延片制作方法及发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201610133101.5 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105679893B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/04;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 发光二极管外延 子层 生长压力 电子阻挡层 掺杂 衬底 低温缓冲层 发光二极管 高温缓冲层 源层 制作 | ||
1.一种发光二极管外延片制作方法，所述方法包括：提供一衬底；依次在所述衬底上生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层；其特征在于，所述P型层采用如下方式生长：
以第一生长温度、第一生长压力和第一生长速率在所述电子阻挡层上生长第一厚度、第一Mg掺杂浓度的第一GaN子层；
以第二生长温度、第二生长压力和第二生长速率在所述第一GaN子层上生长第二厚度、第二Mg掺杂浓度的第二GaN子层；
以第三生长温度、第三生长压力和第三生长速率在所述第二GaN子层上生长第三厚度、第三Mg掺杂浓度的第三GaN子层；
沿着所述电子阻挡层到所述P型层的方向，所述第一Mg掺杂浓度逐渐变大，所述第二生长温度＝所述第三生长温度＞所述第一生长温度，所述第二生长压力＞所述第一生长压力＝所述第三生长压力，所述第二生长速率＞所述第一生长速率＝所述第三生长速率，所述第三厚度＞所述第一厚度＞所述第二厚度，所述第三Mg掺杂浓度＞所述第一Mg掺杂浓度＞所述第二Mg掺杂浓度＝0，所述第二生长温度和所述第三生长温度为930-1000℃，所述第一生长温度为900-980℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二生长压力350-600torr，所述第一生长压力和所述第三生长压力为150-350torr。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第三厚度为200-500埃，所述第一厚度为100-300埃，所述第二厚度为50-100埃。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二生长速率为所述第一生长速率的1-3倍。
5.一种发光二极管外延片，包括：衬底、依次覆盖在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层；其特征在于，所述P型层包括：
以第一生长温度、第一生长压力和第一生长速率生长在所述电子阻挡层上的第一厚度、第一Mg掺杂浓度的第一GaN子层；
以第二生长温度、第二生长压力和第二生长速率生长在所述第一GaN子层上的第二厚度、第二Mg掺杂浓度的第二GaN子层；
以第三生长温度、第三生长压力和第三生长速率生长在所述第二GaN子层上的第三厚度、第三Mg掺杂浓度的第三GaN子层；
沿着所述电子阻挡层到所述P型层的方向，所述第一Mg掺杂浓度逐渐变大，所述第二生长温度＝所述第三生长温度＞所述第一生长温度，所述第二生长压力＞所述第一生长压力＝所述第三生长压力，所述第二生长速率＞所述第一生长速率＝所述第三生长速率，所述第三厚度＞所述第一厚度＞所述第二厚度，所述第三Mg掺杂浓度＞所述第一Mg掺杂浓度＞所述第二Mg掺杂浓度＝0，所述第二生长温度和所述第三生长温度为930-1000℃，所述第一生长温度为900-980℃。
6.根据权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二生长压力350-600torr，所述第一生长压力和所述第三生长压力为150-350torr。
7.根据权利要求5或6所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第三厚度为200-500埃，所述第一厚度为100-300埃，所述第二厚度为50-100埃。
8.根据权利要求5或6所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二生长速率为所述第一生长速率的1-3倍。
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