[发明专利]一种垂直LED芯片结构及其制备方法

权利要求书

1.一种垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

1)提供生长衬底，于所述生长衬底上形成外延层；

2)于所述外延层上形成金属电极层，所述金属电极层包括依次形成于所述外延层上的电流扩展层、反射层及金属键合层，所述金属键合层的材料为Au、Sn或AuSn合金；

3)对所述生长衬底、外延层和金属电极层进行退火处理，以增强金属电极层与外延层之间的粘附性，并降低或消除所述金属电极层与外延层的内应力；

4)于退火后的金属电极层上形成键合衬底。

2.根据权利要求1所述的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：所述金属电极层包括依次形成于所述外延层上的电流扩展层、反射层及金属键合层。

3.根据权利要求2所述的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：所述电流扩展层和反射层为图形化结构。

4.根据权利要求3所述的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：所述金属键合层通过图形化的电流扩展层和反射层与所述外延层接触，并通过步骤3)中的退火处理增强所述金属键合层与所述外延层的粘附性。

5.根据权利要求1所述的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中的退火气氛为氮气气氛、氧气气氛或者真空气氛。

6.根据权利要求1所述的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中的退火温度为200℃～500℃。

7.根据权利要求1所述的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中的退火时间为2min～30min。

8.根据权利要求1所述的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中的热退火设备为快速退火炉。

9.根据权利要求1所述的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于：所述外延层包括依次形成于所述生长衬底上的未掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层及P-GaN层。

10.一种垂直LED芯片结构，其特征在于，包括：

生长衬底；

位于所述生长衬底之上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述生长衬底上的未掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层及P-GaN层；

位于所述外延层上的金属电极层，所述金属电极层包括依次形成于所述P-GaN层上的图形化的电流扩展层、图形化的反射层及金属键合层，所述金属键合层的材料为Au、Sn或AuSn合金；

位于所述金属电极层上的键合衬底；

其中，对所述生长衬底、所述外延层和所述金属电极层进行了退火处理，以增强所述金属电极层与所述外延层之间的粘附性，并降低或消除所述金属电极层与所述外延层的内应力。

11.根据权利要求10所述的垂直LED芯片结构，其特征在于：所述金属键合层通过图形化的电流扩展层和反射层与所述外延层接触。