[发明专利]一种晶片测试装置及其测试方法

权利要求书

1.一种晶片测试装置，主要由探针模块、探针台、收光组件及控制线路组成，探针台在探针模块下方自由移动，收光组件位于探针模块上方，其中探针模块用于测试发光二极管晶片内芯粒的电性参数，探针台用于固定晶片，收光组件用于测试芯粒的光学参数，控制线路用于在各部件间传递控制信号及数据信息，其特征在于：所述晶片测试装置至少包括9组探针模块，晶片测试时，每组探针模块至少测量1颗芯粒，所述探针模块对应的芯粒构成矩阵图形，定义所述矩阵图形内的芯粒为一个单元，所述探针模块在程控选通分配器控制下，所述程控选通分配器控制探针模块工作状态的开启或关闭，依次对矩阵图形内芯粒电性参数进行采集。

2.根据权利要求1所述的一种晶片测试装置，其特征在于：所述每组探针模块对应1颗芯粒。

3.根据权利要求1所述的一种晶片测试装置，其特征在于：所述矩阵图形包含但不限于3*3阵列、3*5阵列或者5*5阵列。

4.根据权利要求1所述的一种晶片测试装置，其特征在于：所述收光组件对位于所述矩阵图形中央的芯粒进行光学参数采集，用所述光学参数代表所述矩阵图形内其他位置芯粒的光学参数。

5.根据权利要求4所述的一种晶片测试装置，其特征在于：所述收光组件为积分球。

6.根据权利要求4所述的一种晶片测试装置，其特征在于：所述矩阵图形中央芯粒具有电极，探针模块与电极欧姆接触，探针模块位于其在芯粒表面非电极区域投影面积最小的位置。

7.根据权利要求4所述的一种晶片测试装置，其特征在于：矩阵图形周边芯粒对应的探针模块，在收光组件采集光学参数时，不处于所述矩阵图形中央芯粒的正上方位置。

8.根据权利要求1所述的一种晶片测试装置，其特征在于：所述程控选通分配器控制探针依次对矩阵图形内芯粒进行电性参数进行采集后，通过控制线路输出电性参数，并控制所述探针台移动，所述探针对下一单元待测芯粒进行电性参数采集。

9.一种晶片测试方法，通过晶片测试装置的探针模块和积分球，分别对发光二极管晶片的电性参数和光学参数进行采集，其中发光二极管晶片固定于探针台上，探针模块位于晶片上方，积分球位于探针模块上方，其特征在于：所述晶片测试装置至少包括9组探针模块，晶片测试时，每组探针模块至少测量1颗芯粒，所述探针模块对应的芯粒构成矩阵图形，定义所述矩阵图形内的芯粒为一个单元，所述积分球采集位于所述矩阵图形中心位置芯粒的光学参数，用所述光学参数代表所述矩阵图形内其他位置芯粒的光学参数。

10.根据权利要求9所述的一种晶片测试方法，其特征在于：依次对所述矩阵图形内芯粒进行电性参数采集。

11.根据权利要求9所述的一种晶片测试方法，其特征在于：所述探针模块在采集完矩阵图形内所有芯粒的电性参数，且积分球采集完位于所述矩阵图形中心位置芯粒的光学参数，通过探针台移动，所述探针模块对下一单元待测芯粒进行电性参数采集。

12.根据权利要求9所述的一种晶片测试方法，其特征在于：所述矩阵图形包含但不限于3*3阵列、5*3阵列或者5*5阵列。