[发明专利]氧化石墨烯基二极管动态随机存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化石墨烯基二极管动态随机存储器，自下而上依次包括基底、下电极、氧化石 墨烯基活性层和上电极，其特征在于：所述氧化石墨烯基活性层的材料是氧化石墨烯或通过 化学方法选择性还原后氧化石墨烯CrGO。

2.根据权利要求1所述的氧化石墨烯基二极管动态随机存储器，其特征在于：所述氧化 石墨烯基活性层厚度为200～1000nm。

3.根据权利要求1所述的氧化石墨烯二极管动态随机存储器，其特征在于：所述上电极 材料为铝。

4.如权利要求1所述的氧化石墨烯基二极管动态随机存储器的制备方法，其特征在于， 包括以下步骤，

S1、将冻干的氧化石墨烯或化学还原后的氧化石墨烯投入到分散剂中制成悬浮液，其中 氧化石墨烯基材料的浓度为5～8mg/ml，分散剂为甲醇、乙醇、丙酮、四氢呋喃或者去离 子水中的至少一种；

S2、将S1中配置好的氧化石墨烯基溶液放入超声波清洗机中清洗至少10分钟，待配置 的溶液完全分散、溶解；

S3、选择表面刻蚀有250nm氧化铟锡的玻璃作为基底，其中氧化铟锡作为下电极，清洗 干净后烘干；

S4、将完全溶解的氧化石墨烯基溶液旋涂到基底上有氧化铟锡的一面，控制旋涂的转速， 直到氧化石墨烯基达到200～1000nm的厚度；

S5、将旋涂有氧化石墨烯溶液的基底放置于烘箱中退火烘干；

S6、将退火后的薄膜放置于真空蒸镀室，蒸镀一层上电极。

5.根据权利要求4所述的氧化石墨烯基二极管动态随机存储器的制备方法，其特征在 于：S4中所述旋涂的转速为每分钟滴3～5滴，每滴溶液形成薄膜的厚度为10～20nm。

6.根据权利要求4所述的氧化石墨烯基二极管动态随机存储器的制备方法，其特征在 于：S5中所述基底的退火温度为60°～100°，退火时间为一小时。

7.根据权利要求4所述的氧化石墨烯基二极管动态随机存储器的制备方法，其特征在 于：S6中所述上电极为铝电极。

8.根据权利要求7所述的氧化石墨烯基二极管动态随机存储器的制备方法，其特征在 于：S6中蒸镀铝电极的速率为真空度在5×10^-4pa～10^-5pa，采用晶振控制厚度在 90-100nm。