[发明专利]一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

目前，TFT-LCD的显示模式主要有TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment，垂直取向)模式、IPS(In-Plane-Switching，平面方向转换)模式和ADSDS(ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转换，简称ADS)模式等。

在上述显示模式的TFT-LCD的制备过程中，位于阵列基板和彩膜基板之间的隔垫物(Photo Spacer，简称PS)的制备是一道十分重要的工序。隔垫物可以确保阵列基板与彩膜基板之间的间隙和均匀性，同时起到对阵列基板和彩膜基板的支撑作用。

现有技术中，隔垫物均是在彩膜工艺中形成，如图1所示，现有的彩膜基板包括：彩膜衬底基板10；位于彩膜衬底基板10背侧的黑矩阵11；位于黑矩阵11背侧的包含红、绿、蓝三种颜色的彩膜滤光片12；位于彩膜滤光片背侧的保护涂层13；以及位于保护涂层13背侧的隔垫物14。

现有技术存在的缺陷在于，彩膜工艺的加工工序较多，进而导致显示装置的制造工艺较为复杂，浪费时间和生产成本。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置，以减少彩膜工艺的加工工序，并进一步减少显示装置的制造工序，节省生产成本和时间。

本发明实施例提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管；

通过半色调掩模构图工艺，在薄膜晶体管的前侧形成具有过孔的钝化层，及在所述钝化层的前侧形成隔垫物。

采用该方法制造阵列基板，无需在彩膜基板背侧制备隔垫物，减少了彩膜工艺的加工工序，进而减少了显示装置的制造工序，节省了生产成本和加工时间。

优选的，所述通过半色调掩模构图工艺，在薄膜晶体管的前侧形成具有过孔的钝化层，及在所述钝化层的前侧形成隔垫物，具体包括：

在薄膜晶体管前侧形成钝化层薄膜；

在钝化层薄膜前侧形成光刻胶；

使用具有全透光区、半透光区和遮光区的掩模板对基板进行曝光，其中，全透光区与基板预形成过孔的区域位置相对，遮光区与基板预形成隔垫物的区域位置相对；

对曝光后的基板进行显影处理；

对显影处理后的基板进行刻蚀和灰化处理，形成具有过孔的钝化层及在所述钝化层的前侧形成隔垫物。

采用该方法制造阵列基板，减少了彩膜工艺的加工工序，同时，采用半色调掩模构图工艺制备隔垫物，刻蚀和灰化可以在同一工序进行，相比现有技术，减少了刻蚀之后的光刻胶剥离工序，因此，显示装置的制造工序得到了简化，大大地节约了加工时间和生产成本，具有良好的经济效益和发展前景。

优选的，所述阵列基板的制造方法还包括：在所述隔垫物的前侧形成覆盖所述隔垫物表面的保护层。

更优的，在形成所述保护层的同时，形成与所述保护层材质相同的像素电极，所述像素电极穿过所述过孔与所述薄膜晶体管的源极连接。采用该方法，可以在同一次掩模构图工艺中形成保护层和像素电极，因此，可以大大简化阵列基板的制造工艺，进一步缩短工艺时间。

本发明实施例提供一种阵列基板，包括钝化层，所述钝化层的前侧具有隔垫物。

采用本发明的技术方案，彩膜基板背侧无需制备隔垫物，因而可以减少彩膜工艺的加工工序，并进一步减少显示装置的制造工序，节省生产成本和加工时间。

优选的，所述隔垫物为有机膜隔垫物。

优选的，所述隔垫物为光刻胶隔垫物。

更优的，所述阵列基板还包括覆盖所述隔垫物的表面的保护层。

优选的，所述阵列基板还包括位于所述钝化层背侧的薄膜晶体管以及位于所述钝化层前侧的像素电极，其中：所述钝化层具有与薄膜晶体管的源极位置相对的过孔，所述像素电极穿过所述过孔与所述薄膜晶体管的源极连接；所述保护层与所述像素电极的材质相同。在该技术方案中，可以在同一次掩模构图工艺中形成保护层和像素电极，因此可以简化阵列基板的制造工艺，进一步缩短工艺时间。