[发明专利]一种芯片封装基板

说明书

技术领域

本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种芯片封装基板。

背景技术

封装基板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效，以实现多引脚化，缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。LED（发光二极管）封装是指发光芯片的封装，LED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而LED封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，所以对封装材料有特殊的要求，无法简单地将分立器件的封装用于LED。在一般情况下，LED的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm/℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，LED的发光强度会相应地减少1%左右，所以封装散热对保持LED色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数LED的驱动电流限制在20mA左右。但是，LED的光输出会随电流的增大而增加，很多功率型LED的驱动电流可以达到70mA、100mA甚至1A级，改进封装结构，引入全新的LED封装设计理念和低热阻封装结构及技术来改善LED原有制约性能，在此背景下COB封装技术被越来越广泛地应用于LED封装，COB封装即将多颗芯片直接封装在金属基印刷电路板MCPCB，使用多颗芯片不仅能够提高亮度，还有助于实现LED芯片的合理配置，降低单个LED芯片的输入电流量以确保高效率。另一方面通过COB封装应用于LED灯具，不但可以省工省时，而且可以节省器件封装的成本，总体可以降低30%左右的成本，这对于LED照明的应用推广有着十分重大的意义。但由于目前的COB封装基板均选用金属基板，其最大限度仅能呈现半球形光源，为使LED能更大角度的发光，很多企业均有尝试在透明基板上进行封装LED，透明基板主要有玻璃、PC等，但由于它们的导热散热效果不佳、并且难于在上面制作电极、印刷电路等而被放弃应用于LED芯片COB封装领域。经过改进有些企业采用透明基板，通过溅镀于透明基板上的ITO电路实现芯片与芯片之间的电性导通，同时透明特性不会阻挡LED芯片的出光。由于工艺过程中涉及干法刻蚀设备，因此工艺过程复杂、成本较高。

发明内容

针对现有技术中存在的技术问题，本发明的目的是为了简化现有技术的产品，以铜取代ITO，将铜直接溅镀在透明基板上，制成一种芯片封装基板。

为了实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种芯片封装基板，包括基板层、溅镀层和保护层；所述溅镀层沉积在基板层上，保护层覆在溅镀层上；所述基板层的材料是玻璃或聚合物，所述溅镀层的材料是铜合金，所述保护层的材质是金属或金属氧化物。

进一步，所述基板层的材料是PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）、PI（聚酰亚胺）、PC（聚碳酸酯）、PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）、COC（环烯烃共聚物）、TCA（三醋酸纤维素）或蓝宝石。

进一步，所述溅镀层分布铜导体线路，所述铜导体的宽度小于4微米，各铜导体相互间隔50-100微米。

进一步，所述基板层的厚度为15-250微米，优选25-75微米。

进一步，所述溅镀层的厚度为0.03-1.5微米，优选0.05-0.5微米。

进一步，所述保护层厚度为所述溅镀层厚度的30-40%。

本发明的芯片封装基板使用了比ITO透明基板相对廉价的导电材料铜，并且具有特定设计的电路图，具有高抗冲击性和低总电阻的性能，可大幅度节约生产成本，提高生产效率，有助于提高后续芯片的封装效率，进而使后续产品更加稳定，因而具有高可视度以及成本竞争力。

附图说明

图1为本发明芯片封装基板的结构示意图。

其中，1.基板层，2.溅镀层，3.保护层。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

参见图1，本发明的芯片封装基板，包括基板层、溅镀层和保护层；所述溅镀层沉积在基板层上，保护层覆在溅镀层上；所述基板层的材料是玻璃或聚合物，所述溅镀层的材料是铜合金，所述保护层的材质是金属或金属氧化物，所述溅镀采用脉冲电源进行，操作电压介于400伏特至700伏特之间。

本发明的芯片封装基板制备工艺主要包括下述步骤：