[发明专利]薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：

下部介电层，第一空腔结构设置于所述下部介电层中, 所述下部介电层包括第一介电层以及设置于第一介电层之上的第二介电层，其中，所述第一空腔结构形成于所述第二介电层中，使所述第一空腔结构的一开口被所述第一介电层密封；

上部介电层，所述上部介电层位于所述下部介电层的上方，第二空腔结构设置于所述上部介电层中；

声波谐振复合薄膜，设置于所述第一空腔结构和所述第二空腔结构之间，连续地隔离所述第一空腔结构和所述第二空腔结构，所述声波谐振复合薄膜包括底部电极层、压电薄膜以及顶部电极层，所述压电薄膜设置于所述底部电极层和所述顶部电极层之间，其中，所述第一空腔结构与所述第二空腔结构上下重叠部分形成一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，该多边形不包含任何一对相对而平行的直线段。

2.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一空腔结构的横截面形状为多边形，且该多边形至少有一对边互相平行。

3.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二空腔结构的横截面形状为多边形，且该多边形至少有一对边互相平行。

4.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声波谐振复合薄膜还包括粘结层以及隔离层，所述粘结层设置于所述压电薄膜和所述底部电极层之间，所述隔离层设置在所述底部电极层与所述粘结层之间，和/或，在所述顶部电极层与所述压电薄膜之间。

5.一种半导体器件，其特征在于，包括：

浅沟槽隔离结构，在所述浅沟槽隔离结构的正面形成有第一介电层；

在所述第一介电层的部分表面上形成有底部电极层，且所述底部电极层对应位于所述浅沟槽隔离结构的上方；

在所述第一介电层上形成有第二介电层，在所述第二介电层中形成有第一空腔结构，所述第一空腔结构暴露部分所述底部电极层，其中，所述第一空腔结构的横截面形状为多边形；

第一键合层与所述第二介电层相键合，使所述第一空腔结构密封；

在所述浅沟槽隔离结构的背面上形成有第三介电层；

在所述浅沟槽隔离结构的背面，形成有依次贯穿所述第三介电层、所述浅沟槽隔离结构和所述第一介电层的开口，所述开口与所述第一空腔结构相对，所述开口的横截面形状为多边形；

紧贴所述底部电极层，在所述开口的底部和侧壁上以及部分所述第三介电层的表面上设置有依次层叠的压电薄膜和顶部电极层；

第四介电层设置为覆盖所述顶部电极层以及所述第三介电层的表面；

在所述第四介电层中形成有第二空腔结构，所述第二空腔结构与所述第一空腔结构相对，所述第二空腔结构暴露至少部分位于所述开口底部的所述顶部电极层，且所述第二空腔结构被密封，所述第二空腔结构的横截面形状为多边形；

其中，声波谐振复合薄膜包括所述底部电极层、所述压电薄膜以及所述顶部电极层，所述第一空腔结构与所述第二空腔结构上下重叠部分形成一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，该多边形不包含任何一对相对而平行的直线段。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一键合层和所述第二介电层之间设置有第一覆盖层，所述第一覆盖层密封所述第一空腔结构，且在与所述第一空腔结构对应的所述第一覆盖层中设置有至少一第一释放孔，通过第一密封材料密封所述第一释放孔，并覆盖所述第一覆盖层的表面。

7.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一键合层设置于第一操作衬底的正面上。

8.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，在所述第四介电层的表面上还设置有第五介电层。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第二空腔结构贯穿所述第五介电层和所述第四介电层，在第二操作衬底的正面设置有第二键合层，所述第二键合层与所述第五介电层相键合，使所述第二空腔结构密封。