[发明专利]直流-交流转换装置和基于其的逆变器

权利要求书

1.一种直流-交流转换装置，其特征在于：其包括与直流源（100）相连接的用于滤除干扰和高频变化量的储能模块（300）、与所述储能模块（300）相连接的用于将直流电压变换为按正弦规律变化的交流电压的第一斩波电路（400）、与所述储能模块（300）相连接的用于将直流电压变换为按正弦规律变化的交流电压的第二斩波电路（500）、与所述第一斩波电路（400）和所述第二斩波电路（500）相连接的滤波电路（600），所述滤波电路（600）的输出端为所述直流-交流转换装置的输出端而与交流电源或负载（200）相连接。

2.根据权利要求1所述的直流-交流转换装置，其特征在于：所述储能模块（300）包括连接于所述直流源（100）的输出端的相串联的电容C1和电容C2，所述电容C1和电容C2的连接点与所述滤波电路（600）相连接。

3.根据权利要求1所述的直流-交流转换装置，其特征在于：所述第一斩波电路（400）包括功率管T1、功率管T3、功率管T5和二极管D1；所述功率管T1的一端为所述第一斩波电路（400）的输入端而与所述储能模块（300）的输出端相连接，所述功率管T1与所述储能模块（300）的连接点连接所述功率管T3的一端，所述功率管T3的另一端连接所述功率管T5的一端，所述功率管T5的另一端为所述第一斩波电路（400）的第一个输出端，所述功率管T3与所述功率管T5的连接点连接所述二极管D1的负极，所述二极管D1的正极连接所述功率管T1的另一端形成所述第一斩波电路（400）的第二个输出端；

所述第二斩波电路（500）包括功率管T2、功率管T4、功率管T6和二极管D2；所述功率管T2的一端为所述第二斩波电路（500）的输入端而与所述储能模块（300）的输出端相连接，所述功率管T2与所述储能模块（300）的连接点连接所述功率管T4的一端，所述功率管T4的另一端连接所述功率管T6的一端，所述功率管T6的另一端为所述第二斩波电路（500）的第一个输出端，所述功率管T4与所述功率管T6的连接点连接所述二极管D2的正极，所述二极管D2的负极连接所述功率管T2的另一端形成所述第二斩波电路（500）的第二个输出端；

所述第一斩波电路（400）的第一个输出端和所述第二斩波电路（500）的第一个输出端共接、所述第一斩波电路（400）的第二个输出端和所述第二斩波电路（500）的第二个输出端共接。

4.根据权利要求1所述的直流-交流转换装置，其特征在于：所述滤波电路（600）包括电感L1、电感L2、电容C3、电容C4；所述电感L1的一端、所述电感L2的一端为所述滤波电路（600）的输入端而与所述第一斩波电路（400）的输出端和所述第二斩波电路（500）的输出端相连接，所述电感L1的另一端串接所述电容C3的一端，所述电感L2的另一端串接所述电容C4的一端，所述电容C3的另一端、所述电容C4的另一端相连接并与所述储能模块（300）相连接，所述电感L1与所述电容C3的连接点、所述电感L2与所述电容C4的连接点为所述滤波电路（600）的输出端。

5.根据权利要求4所述的直流-交流转换装置，其特征在于：所述功率管T1、所述功率管T2、所述功率管T3、所述功率管T4、所述功率管T5、所述功率管T6均为MOSFET半导体开关器件。

6.根据权利要求4所述的直流-交流转换装置，其特征在于：所述功率管T1、所述功率管T2、所述功率管T3、所述功率管T4为高频功率管。

7.一种逆变器，其特征在于：其包括权利要求1-6中任一项所述的直流-交流转换装置。