[发明专利]高良率整流芯片封装结构在审

专利信息
申请号: 201610137684.9 申请日: 2013-07-12
公开(公告)号: CN105679733A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 张雄杰;何洪运;程琳 申请(专利权)人: 苏州固锝电子股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/492
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 马明渡;王健
地址: 215153 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 高良率 整流 芯片 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种高良率整流芯片封装结构,包括位于环氧封装体内的第一引线条(1)、第二引线条(2)、连接片(3)和整流芯片(4),该第一引线条(1)一端的支撑区(11)连接到所述整流芯片(4)下表面,该整流芯片(4)下表面通过焊锡膏与该第一引线条(1)的支撑区(11)电连接,第一引线条(1)另一端作为器件电流传输的引脚区(5);

位于所述第二引线条(2)一端的焊接区(21)与连接片(3)的第一焊接面(31)连接,该第二引线条(2)另一端作为器件电流传输的引脚区(5);所述连接片(3)第二焊接面(32)与整流芯片(4)上表面通过焊锡膏电连接;

其特征在于:所述连接片(3)的第一焊接面(31)和第二焊接面(32)之间具有一中间区(33),此中间区(33)与第一焊接面(31)和第二焊接面(32)之间分别设有第一折弯处(34)和第二折弯处(35),从而使得中间区(33)高度高于第一焊接面(31)和第二焊接面(32),所述连接片(3)的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口(6);所述第二焊接面(32)均匀分布有若干个第一通孔(7),一第二通孔(9)位于第二折弯处(35)、第二焊接面(32)、中间区(33)上,此第二通孔(9)横跨第二折弯处(35)并延伸到第二焊接面(32)、中间区(33)边缘区域;所述第一折弯处(34)、第二折弯处(35)与中间区(33)夹角为125°~145°;

所述第一折弯处(34)、第二折弯处(35)与中间区(33)夹角为125°~145°;所述连接片(3)的第一焊接面(31)高度低于所述第二焊接面(32)高度。

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