[发明专利]一种用于合成多种形貌的g-C3N4纳米材料的方法在审
申请号: | 201610139398.6 | 申请日: | 2016-03-11 |
公开(公告)号: | CN105692572A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 赵慧敏;甘小荣;全燮;张耀斌;陈硕 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C01B21/082 | 分类号: | C01B21/082;B82Y40/00 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 温福雪;李宝元 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 合成 多种 形貌 sub 纳米 材料 方法 | ||
技术领域
本发明属于材料合成领域,涉及一种用于合成多种形貌的g-C3N4纳米材料的方法。
背景技术
类石墨C3N4(g-C3N4)是一种能稳定存在的C3N4的同素异形体。g-C3N4纳米材料能催 化一系列科学家“梦想的反应”,例如光化学反应分解水、选择性氧化反应、超活性产氢反 应,因此吸引了研究者的广泛关注。特别是,不同形貌和维度(尺寸)的g-C3N4纳米材料由于 量子限域效应存在显示了许多独特的物理化学性质,因此被广泛用于各个领域。例如,二维 的g-C3N4纳米片是一种十分有效的光催化剂,能高效地转化太阳能,这主要得益于它的大的 比表面积和边缘活性位点。一维的g-C3N4纳米线可以作为很好的吸附剂、光催化活性材料和 传感材料。此外,零维的g-C3N4纳米点是一类生物兼容性很好的荧光纳米粒子,被广泛地应 用在荧光成像和荧光传感器。
目前,g-C3N4量子点最佳的合成方法是水热和溶剂热法;相比于化学气相沉积和机 械剥离法,液相剥离法是合成二维g-C3N4纳米片的最佳方法。不同形貌和维度的g-C3N4往往 需要不同的合成方法,这给研究g-C3N4纳米材料的物理化学性质带来的麻烦。此外,不同形 貌g-C3N4纳米材料合成方法上的差异性可能造成对实验设备、条件和步骤有不同的要求,会 增加合成成本。因此,开发一种简便、有效、可控、大规模合成g-C3N4纳米材料的方法具有非 常重要的现实意义。
最近研究报道,甲酰胺在反应温度为180℃时,通过溶剂热法,反应0.5h可合成g- C3N4量子点(S.Barman,M.Sadhukhan,Facilebulkproductionofhighlyblue fluorescentgraphiticcarbonnitridequantumdotsandtheirapplicationas highlyselectiveandsensitivesensorsforthedetectionofmercuricand iodideionsinaqueousmedia,J.Mater.Chem.,22:21832-21837.)。这种方法合成的g- C3N4量子点的产率很低,而且分离提纯麻烦。基于这个方法,在本发明中,通过系统地调控反 应温度和反应时间,我们成功制备出g-C3N4纳米片、纳米线和纳米纤维。在我们给定的条件 范围内,可以实现对g-C3N4纳米材料的形貌、尺寸和厚度的调控。本发明制备的g-C3N4纳米 线和纳米纤维的产率可到90%以上,由于其尺寸比g-C3N4量子点大,分离提纯也更加容易。
发明内容
本发明的目的是构建一种简单的合成方法能可控制备不同形貌、维度和厚度的g- C3N4纳米材料,本发明解决了不同形貌或维度的g-C3N4纳米材料需要不同合成方法的问题。
本发明的技术方案:
一种用于合成多种形貌的g-C3N4纳米材料的方法,步骤如下:
将甲酰胺置于聚四氟乙烯反应器中,保证其体积占聚四氟乙烯反应器体积的60- 80%;
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