[发明专利]MEMS芯片集成的封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种MEMS芯片集成的封装结构，其特征在于：包括MEMS芯片(1)、ASIC芯片(2)，所述ASIC芯片具有第一表面(202)和与其相对的第二表面(203)，所述第一表面含有焊垫(201)，所述MEMS芯片的正面具有焊料凸点(101)，所述ASIC芯片焊垫的电性通过重布局金属线路导出至与待键合的MEMS芯片焊料凸点相对应的位置，所述MEMS芯片的正面与所述ASIC芯片的第一表面通过所述焊料凸点与所述重布局金属线路键合，所述MEMS芯片和所述ASIC芯片的第一表面通过塑封层包覆；所述ASIC芯片第一表面焊垫的电性通过金属互连结构导出至第二表面；所述ASIC芯片焊垫之间的间距大于所述MEMS芯片的焊料凸点之间的间距时，所述重布局金属线路向内导出至与所述MEMS芯片的焊料凸点相对应的位置；所述ASIC芯片的焊垫之间的间距小于所述MEMS芯片的焊料凸点之间的间距时，所述重布局金属线路向外扇出至与所述MEMS芯片的焊料凸点相对应的位置。

2.根据权利要求1所述的MEMS芯片集成的封装结构，其特征在于，所述第二表面形成有暴露所述焊垫的开口(5)，所述开口及所述第二表面上形成有暴露焊垫的绝缘层(6)，所述绝缘层上形成有将所述焊垫的电性引至所述第二表面上的金属重布线(7)，所述金属重布线上形成有用于防止所述金属重布线氧化或腐蚀的防焊层(8)，所述防焊层上形成有电连接所述金属重布线的若干焊料凸点(9)。

3.根据权利要求1或2所述的MEMS芯片集成的封装结构，其特征在于，所述焊料凸点为焊球或金属凸点。

4.根据权利要求1所述的MEMS芯片集成的封装结构，其特征在于，所述塑封层的材质为聚合物或膜。

5.一种MEMS芯片集成的封装方法，其特征在于：包含如下步骤：

步骤1、提供一MEMS芯片(1)，所述MEMS芯片的正面含有焊料凸点(101)；

步骤2、提供一ASIC芯片(2)，所述ASIC芯片具有第一表面(202)和与其相对的第二表面(203)，所述第一表面含有焊垫(201)，在所述第一表面制作重布局金属线路(4)，将所述焊垫的电性导出至与需要键合的MEMS芯片上焊料凸点相对应位置；

步骤3、将所述MEMS芯片的正面与所述ASIC芯片的第一表面通过所述焊料凸点与所述重布局金属线路键合在一起；

步骤4、在所述ASIC芯片含有焊垫的第一表面形成塑封层(3)，使该塑封层包覆住所述MEMS芯片和所述重布局金属线路；

步骤5、将所述ASIC芯片第一表面的焊垫电性通过金属互连结构导出至第二表面上。

6.根据权利要求5所述的MEMS芯片集成的封装方法，其特征在于，首先，在所述第二表面上形成暴露ASIC芯片第一表面焊垫的开口(5)，然后，在开口及第二表面上形成暴露焊垫的绝缘层(6)，接着，在所述绝缘层上形成将所述焊垫的电性引至所述第二表面上的金属重布线(7)，最后，在所述金属重布线上形成防止所述金属重布线氧化或腐蚀的防焊层(8)，并在该防焊层上形成有电连接所述金属重布线的若干焊料凸点(9)。

7.根据权利要求5所述的MEMS芯片集成的封装方法，其特征在于，所述焊料凸点与所述重布局金属线路的键合通过在键合部位形成金属柱进行键合。

8.根据权利要求7所述的MEMS芯片集成的封装方法，其特征在于，所述金属柱形成于所述MEMS芯片的焊料凸点位置或形成于所述ASIC芯片上焊垫对应的重布局金属线路上。

9.根据权利要求5所述的MEMS芯片集成的封装方法，其特征在于，利用回流的方式对所述MEMS芯片、所述ASIC芯片进行键合。