[发明专利]液相生长氮化镓晶体的装置

权利要求书

1.液相生长氮化镓晶体的装置，包括：反应釜、置于反应釜外 的加热装置、放置于反应釜内的坩埚、坩埚内装的晶体生长溶液、浸 没在晶体生长溶液中的籽晶，其特征在于，还包括电磁感应装置及搅 拌器；所述电磁感应装置，包括：置于反应釜外的外部线圈装置及与 外部线圈装置连接的交变电源、置于反应釜内的内部线圈装置，外部 线圈装置与内部线圈装置位置内外相对应；所述内部线圈装置设置在 反应釜的内部，位于坩埚上方，通过中轴固定于反应釜顶部；所述搅 拌器浸没在生长溶液中，固定连接于内部线圈装置的下方；所述电磁 感应装置驱动搅拌器旋转搅拌晶体生长溶液。

2.根据权利要求1所述的液相生长氮化镓晶体的装置，其特征 在于，所述搅拌器的类型为：或旋桨式，或涡轮式，或桨式，或锚式， 或折叶式，或螺带式。

3.液相生长氮化镓晶体的装置，包括：反应釜、置于反应釜外 的加热装置、放置于反应釜内的坩埚、在坩埚内装的晶体生长溶液、 浸没在晶体生长溶液中的籽晶，其特征在于，还包括支撑台及电磁感 应装置；所述电磁感应装置，包括：置于反应釜外的外部线圈装置及 与其连接的交变电源、置于反应釜内的内部线圈装置，外部线圈装置 与内部线圈装置位置内外相对应；所述支撑台固定连接于内部线圈装 置上面，坩埚固定连接于支撑台上面；所述电磁感应装置，处在反应 釜下部、坩埚下方，所述电磁感应装置驱动坩埚旋转搅拌晶体生长溶 液。

4.根据权利要求1、3所述的液相生长氮化镓晶体的装置，其特 征在于，所述内部线圈装置、外部线圈装置是空芯线圈，或铁氧体线 圈，或铁芯线圈，或铜芯线圈。

5.根据权利要求1、3所述的液相生长氮化镓晶体的装置，其特 征在于，所述内部线圈装置、外部线圈装置，其线圈个数均大于或等 于一个。

6.根据权利要求1、3所述的液相生长氮化镓晶体的装置，其特 征在于，所述交变电源是交流电源，或电压电流大小和方向随时间作 不规则变化的电源。

7.根据权利要求1、3所述的液相生长氮化镓晶体的装置，其特 征在于，所述籽晶是蓝宝石衬底，或碳化硅衬底，或硅衬底，或是衬 底上沉积氮化物薄膜的复合衬底，或是氮化物自支撑衬底；所述籽晶 的放置是水平放置、或非水平放置；所述籽晶至少设置一片。