[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板

权利要求书

1.一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一玻璃基板；

栅极，其设置于玻璃基板上；

栅极绝缘层，其设置于栅极以及玻璃基板上；

金属氧化物有源层，其设置于栅极绝缘层上；

刻蚀阻挡层，其设置于金属氧化物有源层以及栅极绝缘层上， 该刻蚀阻挡层设置有源极通孔以及漏极通孔；

扩散阻挡层，其包括源极阻挡层和漏极阻挡层，该源极阻挡 层和漏极阻挡层分别设置于源极通孔以及漏极通中，并与该金属 氧化物有源层接触，所述扩散阻挡层中掺杂有预定浓度的硼离子 和/或磷离子；

源极，其设置于所述源极阻挡层上；

漏极，其设置于所述漏极阻挡层上。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在 于，所述扩散阻挡层包括钼金属和钛金属。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在 于，所述金属氧化物有源层为铟镓锌氧化物有源层。

4.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在 于，所述扩散阻挡层的厚度为100埃米-500埃米。

5.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在 于，所述扩散阻挡层中掺杂有硼离子和磷离子，硼离子和磷离子 的掺杂浓度为10％-90％。

6.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在 于，从所述扩散阻挡层的靠近所述源极以及漏极的一侧到靠近所 述金属氧化物有源层的一侧，掺杂浓度依次递减。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所 述的金属氧化物薄膜晶体管。

8.一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包 括以下步骤：

在玻璃基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、金属氧化物有源 层以及刻蚀阻挡层，该刻蚀阻挡层设置有源极通孔以及漏极通孔；

在金属氧化物有源层上形成扩散阻挡层，该扩散阻挡层包括 源极阻挡层和漏极阻挡层，该源极阻挡层和漏极阻挡层分别设置 于源极通孔以及漏极通孔中并分别与金属氧化物有源层接触；

采用预定浓度的硼离子和/或磷离子对扩散阻挡层进行掺杂；

在该源极阻挡层上形成源极，在该漏极阻挡层上形成漏极。

9.根据权利要求8所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法， 其特征在于，所述扩散阻挡层中掺杂有硼离子和磷离子，硼离子 和磷离子的掺杂浓度为10％-90％。

10.根据权利要求8所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征 在于，从所述扩散阻挡层的靠近所述源极以及漏极的一侧到靠近 所述金属氧化物有源层的一侧，掺杂浓度依次递减。