[发明专利]多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种多晶硅薄膜晶体管及其 制备方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePoly-Silicon-ThinFilm Transistor，简称LTPS-TFT)显示器具有高分辨率、反应速度快、高 亮度、高开口率等优点，加上由于LTPS的特点，使得其具有高的电 子移动率。

如图1所示，目前低温多晶硅薄膜晶体管包括设置在衬底10上 的有源层11、设置在有源层11上的栅绝缘层12、设置在栅绝缘层 12上的栅电极13、设置在栅电极13上的中间绝缘层14、以及设置 在中间绝缘层14上的源电极15和漏电极16，源电极15和漏电极16 通过中间绝缘层14和栅绝缘层12上的过孔与有源层11接触。基于 该结构，可通过四次构图工艺形成。

对于薄膜晶体管来说，沟道长度是一个较为关键的指标，特别是 对有机电致发光二极管显示器中的驱动薄膜晶体管来说，其沟道长度 需要达到几十微米，因而导致现有技术中的低温多晶硅薄膜晶体管的 尺寸较大，不利于高分辨率的实现。

发明内容

本发明的实施例提供一种多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列 基板、显示装置，在保证沟道长度的基础上，可降低薄膜晶体管的尺 寸。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种多晶硅薄膜晶体管，包括设置在衬底上的源 电极和漏电极、有源层、栅绝缘层以及栅电极；其中，位于所述源电 极和所述漏电极之间的所述有源层的长度大于所述源电极和所述漏 电极之间的直线距离。

优选的，所述多晶硅薄膜晶体管包括中间绝缘层，所述中间绝缘 层设置在所述有源层的靠近所述衬底的一侧；其中，所述中间绝缘层 中与所述源电极和所述漏电极之间的区域对应的部分区域镂空。

进一步优选的，所述源电极和所述漏电极设置在所述有源层的靠 近所述衬底的一侧，所述中间绝缘层设置在所述源电极和所述漏电极 与所述有源层之间；所述栅绝缘层和所述栅电极设置在所述有源层的 远离所述衬底的一侧。

优选的，所述中间绝缘层的厚度为

优选的，在所述中间绝缘层的镂空区域处，所述中间绝缘层的坡 度角在30°～60°之间。

第二方面，提供一种阵列基板，包括上述第一方面的多晶硅薄膜 晶体管以及与所述多晶硅薄膜晶体管的漏电极电联接的第一电极。

优选的，所述第一电极为像素电极；或者，所述第一电极为底电 极，在此情况下，所述阵列基板还包括顶电极，以及位于所述底电极 和所述顶电极之间的有机材料功能层。

第三方面，提供一种显示装置，包括上述第二方面的阵列基板。

第四方面，提供一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底 上形成源电极和漏电极、有源层、栅绝缘层以及栅电极；位于所述源 电极和所述漏电极之间的所述有源层的长度大于所述源电极和所述 漏电极之间的直线距离。

优选的，在形成所述有源层之前，所述方法还包括：形成中间绝 缘层，所述中间绝缘层中与所述源电极和所述漏电极之间的区域对应 的部分区域被刻蚀，形成镂空区域。

在此基础上，所述制备方法具体包括：

在衬底上通过一次构图工艺形成所述源电极和所述漏电极；在形 成有所述源电极和所述漏电极的衬底上，通过一次构图工艺形成所述 中间绝缘层；在形成有所述中间绝缘层的衬底上，通过一次构图工艺 形成多晶硅层；在形成有所述多晶硅层的衬底上，形成所述栅绝缘 层，并通过一次构图工艺形成所述栅电极；以所述栅电极为掩模，对 所述多晶硅层进行离子注入，形成所述有源层。

优选的，所述中间绝缘层的厚度为

优选的，在所述中间绝缘层的所述镂空区域处，所述中间绝缘层 的坡度角在30°～60°之间。

本发明实施例提供了一种多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列 基板、显示装置，通过使位于源电极和漏电极之间的有源层的长度大 于源电极和漏电极之间的直线距离，可以在保证沟道长度的基础上， 降低薄膜晶体管的尺寸，此外，也可以在与现有技术中源电极和漏电 极之间的直线距离相同的情况下，提高沟道的长度，以适用于较长沟 道长度要求的薄膜晶体管。

附图说明