[发明专利]电阻式记忆胞的写入方法及电阻式内存

说明书

本发明提供一种电阻式记忆胞的写入方法及电阻式内存。电阻式记忆胞的写入方法包括下列步骤。提供参考电压至电阻式记忆胞的位线。提供第一电压至电阻式记忆胞的字符线，且提供第二电压至电阻式记忆胞的源极线。第一电压不随着第二电压的逐次调高而提高其电压值。藉此，在进行电阻式记忆胞的写入方法(如，重置操作)时，使得字符线的电压不随着源极线的电压的逐次调高而提高其电压值，藉以延展重置操作的电压窗口，减少电阻式记忆胞因输入电压过高而发生互补切换现象的机率。

技术领域

本发明涉及一种电阻式内存技术，尤其涉及一种电阻式记忆胞的写入方法及电阻式内存。

背景技术

电阻式内存(Resistive random-access memory；RRAM)是一种新式的非挥发性内存，可利用阻态的改变来记忆或储存数值。电阻式内存与逻辑制程的兼容性极佳，且写入速度快，写入电压较低，符合可携式电子产品的低功耗需求。

在电阻式内存中，形成(forming)、设定(set)以及重置(reset)三个操作为确保电阻式记忆胞电气特性以及数据保存力(data retention)的三个重要步骤。在进行设定/重置操作时，可能需要逐步地且多次地提升输入电压才能完成。然而，当使用过高的输入电压来进行电阻式记忆胞的设定操作或是重置操作的话，可能会使原本应为高电流状态的电阻式记忆胞减少其电流，或是使应为低电流状态的电阻式记忆胞增加其电流，此种现象称为是互补切换(Complementary switching)现象(manifestation)。互补切换现象为电阻式内存的领域中的一种独特现象。换句话说，输入电压不足可能导致设定操作或重置操作失败，而操作电压过大时也会产生相同的结果。因此，如何在进行设定操作以及重置操作时，避免输入电压在逐步提升的过程中因其电压值过大而使电阻式记忆胞发生互补切换现象，便是重要的课题之一。

发明内容

本发明提供一种电阻式记忆胞的写入方法及电阻式内存，可延展重置操作的电压窗口，减少电阻式记忆胞因输入电压过高而发生互补切换现象的机率。

本发明的电阻式记忆胞的写入方法包括下列步骤。提供参考电压至电阻式记忆胞的字符线。以及，提供第一电压至所述电阻式记忆胞的位线，且提供第二电压至所述电阻式记忆胞的源极线，其中所述第一电压不随着所述第二电压的逐次调高而提高其电压值。

在本发明的一实施例中，上述的第一电压为固定电压值。

在本发明的一实施例中，上述的第一电压随着所述第二电压的逐次提高而降低其电压值。

在本发明的一实施例中，上述的第一电压与所述第二电压的电压值的和为定值。

在本发明的一实施例中，上述的第二电压的起始电压值为2V或0V。

在本发明的一实施例中，上述的第一电压的起始电压值为所述电阻式记忆胞所能承受的最大电压值。

在本发明的一实施例中，上述的写入方法为所述电阻式记忆胞的数据重置方法。

本发明的电阻式内存包括至少一个电阻式记忆胞、字符线信号提供电路、位线信号提供电路以及源极线信号提供电路。字符线信号提供电路耦接至所述电阻式记忆胞的字符线。位线信号提供电路耦接至所述电阻式记忆胞的位线。源极线信号提供电路耦接至所述电阻式记忆胞的源极线。当所述电阻式记忆胞进行重置操作时，所述位线信号提供电路提供参考电压至所述电阻式记忆胞的位线，所述字符线信号提供电路提供第一电压至所述电阻式记忆胞的字符线，且所述源极线信号提供电路提供第二电压至所述电阻式记忆胞的源极线。所述第一电压不随着所述第二电压的逐次调高而提高其电压值。