[发明专利]LED芯片护层的改善在审
| 申请号： | 201610140700.X | 申请日： | 2016-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN107195750A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 涂波 | 申请（专利权）人： | 涂波 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 陈正兴 |
| 地址： | 四川省南充市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 改善 | ||
【说明书】：
技术领域
LED芯片照明、半导体芯片、IC芯片。
背景技术
一般LED芯片或IC芯片的护层为SiO2或者CVD（化学气相沉积）。
发明内容
我们用耐热能高达260度的UV胶代替一般LED芯片的表面护层，其工艺是在真空中旋涂在金属导线外厚度达2um，一般芯片护层CVD大约只有0.1um。这样只用了原先光阻的工艺及材料就能做好护层。
若是蓝光芯片我们可以用掺杂荧光粉的UV胶，而其他的材料可以用掺杂了导热粉的UV胶，只要UV胶的导热率大于SiO2即可。而且UV胶的折射率更是大于SiO2增加出光率。
不管是焊线或是倒装还是溅镀，我们的UV胶都可以提供比SiO2更好的特性。
封装我们一样可以将IC的护层，用掺杂导热粉的UV胶去做IC护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于涂波，未经涂波许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610140700.X/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：深紫外光发光二极管芯片
- 下一篇：发光二极管封装结构
