[发明专利]激光直写用掩膜及其刻蚀方法

权利要求书

1.一种激光直写用掩膜，其特征在于：其包括:

抛光基片；

有机薄膜，附着在所述抛光基片表面；

氧化物薄膜，沉积在所述的有机薄膜表面；

金属薄膜，沉积在所述的氧化物薄膜表面。

2.根据权利要求1所述的激光直写用掩膜，其特征在于，所述的抛光 基片为玻璃、陶瓷或金属材料。

3.根据权利要求1所述的激光直写用掩膜，其特征在于，所述的有机 薄膜为光刻胶或PMMA，膜层厚度不小于300nm。

4.根据权利要求1所述的激光直写用掩膜，其特征在于，所述的氧化 物薄膜成分为SiO₂、Al₂O₃或TiO₂，膜层厚度为20-200nm。

5.根据权利要求1所述的激光直写用掩膜，其特征在于，所述的金属 薄膜成分为Cr、Cu、Au或Al，膜层厚度为20-200nm。

6.根据权利要求1所述的激光直写用掩膜，其特征在于，所述的激光 直写用掩膜相互间隔的氧化物薄膜和金属薄膜为一层或多层。

7.一种激光直写用掩膜的刻蚀方法，其特征在于：其包括:

(1)在抛光基片表面涂覆一层有机薄膜；

(2)在所述有机薄膜表面沉积一层氧化物薄膜；

(3)在所述氧化物薄膜表面沉积一层金属薄膜，得到激光直写用掩膜；

(4)利用激光直写激光器对所述掩膜进行刻蚀；

(5)在所述刻蚀掩膜表面进行清洗，或镀制金属、氧化物、非氧化物 薄膜；

(6)用有机溶剂除去基片表面全部掩膜。

8.根据权利要求7所述的激光直写用掩膜的刻蚀方法，其特征在于， 所述的抛光基片为玻璃、陶瓷或金属材料。

9.根据权利要求7所述的激光直写用掩膜的刻蚀方法，其特征在于， 所述的有机薄膜为光刻胶或PMMA，膜层厚度不小于300nm。

10.根据权利要求7所述的激光直写用掩膜的刻蚀方法，其特征在于， 所述的氧化物薄膜成分为SiO₂、Al₂O₃或TiO₂，膜层厚度为20-200nm。

11.根据权利要求7所述的激光直写用掩膜的刻蚀方法，其特征在于， 所述的金属薄膜成为为Cr、Cu、Au或Al，膜层厚度为20-200nm。

12.根据权利要求7所述的激光直写用掩膜的刻蚀方法，其特征在于， 所述的激光直写激光器为短脉冲激光器，波长范围为193-1064nm。