[发明专利]中高介电常数的LTCC陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 201610141351.3 | 申请日: | 2016-03-11 |
公开(公告)号: | CN107176834B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 兰开东 | 申请(专利权)人: | 上海卡翱投资管理合伙企业(有限合伙) |
主分类号: | C04B35/462 | 分类号: | C04B35/462;C04B35/64;C04B35/626;C03C3/14;C03C12/00 |
代理公司: | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201414 上海市奉贤*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 中高 介电常数 ltcc 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种中高介电常数的LTCC陶瓷材料及其制备方法,所述中高介电常数的LTCC陶瓷材料以质量份计,包括以下组分:x份的ZrTiO4陶瓷粉体,y份的BaO‑B2O3‑ZnO‑TiO2玻璃材料,其中,x+y=100。所述中高介电常数的LTCC陶瓷材料在ZrTiO4陶瓷粉体基础上采用BaO‑B2O3‑ZnO‑TiO2系统的玻璃助烧降低烧结温度,可实现900℃低温烧结,制备的该中高介电常数的LTCC陶瓷材料在6GHz下介电常数为38~42,低介电损耗为≤3×10‑4。另外,本发明的制备方法生产原料便宜、生产成本低、制备工艺简单。该陶瓷材料可用低温共烧陶瓷系统(LTCC)、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
技术领域
本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域,具体涉及一种低成本中高介电常数的LTCC陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)技术是休斯公司于1982年开发出来的一种新型材料技术,它是将低温烧结陶瓷粉体流延制成厚度均匀致密的生瓷带、通过激光打孔、注浆、电路丝网印刷等工艺制成需要的电路图形、多层叠压后在900℃以下烧结成三维无源器件的一种集成技术。目前,LTCC技术广泛用于制作微波通讯、半导体、光电子等领域制作电子元器件,它具有高集成度、高性能的显著优点。近年来,国际上无论是通用电子整机、通信设备还是民用消费类的电子产品都迅速向小型化、轻量化、集成化、多功能化和高可靠性方法发展,推动了LTCC技术在贴片式滤波器、谐振器、耦合器、LED显示模块、蓝牙模块、电感、电容等电子元器件中得到了广泛应用,对高性能LTCC材料需求越来越大。但目前商用化的高性能LTCC材料主要被国外垄断,国内在此领域始终未能取得关键性突破,导致我国研发的LTCC集成器件和组件成本高,不利于应用和推广。因此,开发拥有自主知识产权的高性能LTCC材料迫在眉睫。
ZrTiO4陶瓷材料原来丰富、成本低廉,是一种良好的微波介质材料,具有较高介电常数(εr~43)、低微波损耗tgδ~1×10-4)等。但ZrTiO4陶瓷烧结温度高(~1500℃),不能直接与Ag、Cu等低熔点金属共烧,不能满足实际应用需求。为了降低烧结温度,常用有添加低熔点氧化物,但降温幅度有限,不能达到900℃下烧结;另一类方法是添加低熔点玻璃,但玻璃相的存在大大提高了材料的介质损耗,极大限制了ZrTiO4陶瓷在微波多层器件的应用发展。
综上所述,中高介电常数、低损耗、实用的LTCC陶瓷材料及其制备方法成为了我们研究重点。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种中高介电常数的LTCC陶瓷材料及其制备方法,以实现一种低损耗、实用的中高介电常数的LTCC陶瓷材料及其制备方法。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种中高介电常数的LTCC陶瓷材料,其采用的玻璃与陶瓷复合制得的玻璃陶瓷材料,所述中高介电常数的LTCC陶瓷材料以质量份计,包括以下组分:x份的ZrTiO4陶瓷粉体,y份的BaO-B2O3-ZnO-TiO2玻璃材料,其中,x+y=100。
作为本发明的中高介电常数的LTCC陶瓷材料的一种优选方案,所述中高介电常数的LTCC陶瓷材料以质量份计,包括以下组分:65~75份的ZrTiO4,25~35份的BaO-B2O3-ZnO-TiO2玻璃材料。
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