[发明专利]GaN HEMT器件的制作方法在审
| 申请号： | 201610141454.X | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105742180A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;G03F7/00 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan hemt 器件 制作方法 | ||
1.一种GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供生长衬底并在所述生长衬底表面涂覆压印胶；
将具有纳米图形的压印模板压入压印胶并使所述压印模板的纳米图形与所述生长衬底直接接触，以在所述压印胶上形成与所述纳米图形相反的压印图形，所述压印图形为多个凹陷结构；
刻蚀露出在所述凹陷结构内的生长衬底以在所述生长衬底上形成多个孔洞；
去除所述压印胶，在所述生长衬底具有孔洞的表面横向生长成核层以及在所述成核层上形成GaNHEMT器件结构。
2.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，所述生长衬底的材料为Si、SiC、蓝宝石或金刚石。
3.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，所述多个孔洞在所述生长衬底上均匀分布，所述孔洞的形状为长方形、正方形或圆形。
4.根据权利要求3所述的GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，所述孔洞的深度和宽度小于100nm，相邻两个孔洞之间的间隔小于100nm。
5.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，所述成核层的材料为AlyGa1-yN，其中，y的范围为0～1。
6.根据权利要求5所述的GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，所述GaNHEMT器件结构包括由下自上依次形成的GaN沟道层和AlxGa1-xN势垒层，所述AlxGa1-xN势垒层上形成有栅极、源极和漏极，其中，x的范围为0.1～0.3。
7.根据权利要求6所述的GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，所述源级和漏极与所述AlxGa1-xN势垒层为欧姆接触，所述栅极与所述AlxGa1-xN势垒层为肖特基接触。
8.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，所述孔洞的刻蚀方式为干法刻蚀或湿法刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
