[发明专利]一种无损伤的GaN衬底激光剥离方法有效
| 申请号： | 201610141887.5 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105720141B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘南柳;陈蛟;熊欢;张国义 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/268 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523518 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 损伤 gan 衬底 激光 剥离 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种无损伤的GaN衬底激光剥离方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤①，在蓝宝石衬底上生长GaN缓冲层；
步骤②，在GaN缓冲层上生长包含有量子阱结构或/和超晶格结构的激光阻挡层；
步骤③，在步骤②生长的激光阻挡层上生长GaN衬底；
步骤④，将激光从蓝宝石衬底的底面入射，对蓝宝石表面整体进行扫描照射，致GaN缓冲层被分解，GaN衬底和激光阻挡层的整体从蓝宝石衬底完全被剥离；所述激光阻挡层对入射激光起着分布式布拉格反射作用；
步骤⑤，研磨抛光移除激光阻挡层，得到GaN衬底。
2.根据权利1要求所述一种无损伤的GaN衬底激光剥离方法，其特征在于，所述激光阻挡层的成分，由Ⅲ族元素中的一种或多种，与Ⅴ族元素中的一种或多种所组成。
3.根据权利1要求所述一种无损伤的GaN衬底激光剥离方法，其特征在于，所述步骤④中GaN缓冲层的分解，是GaN缓冲层的部分分解或者完全分解。
4.根据权利1要求所述一种无损伤的GaN衬底激光剥离方法，其特征在于，所述步骤①②③中的生长，是液相法生长或者气相法生长。
5.根据权利1要求所述一种无损伤的GaN衬底激光剥离方法，其特征在于，所述步骤④中的激光，是连续激光或者脉冲激光。
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