[发明专利]一种少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法

权利要求书

1.一种少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法，其特征在于包括以下具 体步骤：

(1)将衬底放入溶剂中超声清洗；

(2)取三氧化钼粉末放入干净的陶瓷舟中，陶瓷舟放入管式炉的中间位 置，同时将步骤(1)中得到的衬底放入沉积温度为500～700℃的区域；

(3)对管式炉进行升温，待达到升华温度后，保温沉积，得少层三氧化 钼二维原子晶体。

2.根据权利要求1所述的少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法，其特 征在于：

步骤(3)中所述的升温指以8～10℃/min的速率升到700～900℃。

3.根据权利要求1所述的少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法，其特 征在于：

步骤(3)中所述的升温指以10℃/min的速率升到780℃。

4.根据权利要求1所述的少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法，其特 征在于：

步骤(3)中所述的保温沉积的时间为1～4h。

5.根据权利要求1所述的少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法，其特 征在于：

步骤(3)中所述的保温沉积的时间为2h。

6.根据权利要求1所述的少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法，其特 征在于：

步骤(1)所述的衬底为二氧化硅衬底或硅衬底；

步骤(1)中所述的溶剂为乙醇、丙酮和水中的至少一种；

步骤(1)中所述的超声指超声5～20min。

7.根据权利要求1所述的少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法，其特 征在于：

步骤(2)中所用的三氧化二钼粉末的质量为0.1～0.5g。

8.一种根据权利要求1～7任一项所述的方法制备得到的少层三氧化钼二 维原子晶体。

9.根据权利要求8所述的少层三氧化钼二维原子晶体在光电器件领域的 应用。