[发明专利]一种层状MoS2‑SnO2纳米复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201610144308.2 | 申请日： | 2016-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN105688944B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 胡平;王快社;杨帆;胡卜亮;宋瑞;陈震宇;李秦伟;戴晓庆 | 申请（专利权）人： | 西安建筑科技大学 |
| 主分类号： | B01J27/051 | 分类号： | B01J27/051;B01J37/12;B01J37/00;C10M125/00;C10M125/22;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所61216 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 710055*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 层状 mos sub sno 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种层状MoS2-SnO2纳米复合材料的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
步骤一，将二硫化钼粉末加入分层溶液中进行分层反应，形成混合液；
所述的分层溶液为芳香族硫醚的乙醇溶液；
所述的芳香族硫醚为聚苯硫醚或芳香族二胺单体硫醚，芳香族硫醚的乙醇溶液的质量浓度为10％～60％；
所述的分层反应的具体过程为：将二硫化钼粉末研磨至200目过筛，将二硫化钼粉末加入芳香族硫醚的乙醇溶液中，加热至30～50℃并搅拌5～12h，形成混合液；
步骤二，在混合液中加入氧化剂进行氧化插层反应，然后搅拌下加入SnO2纳米粉末，继续搅拌均匀后得到插层MoS2-SnO2混合粉末；
所述的氧化剂为高锰酸钾；
所述的步骤二的具体过程为：在混合液中加入KMnO4粉末，水浴加热至50～90℃并搅拌2～5h，在搅拌下加入SnO2纳米粉末，继续搅拌1～3h，过滤并烘干，得到插层MoS2-SnO2混合粉末；
步骤三，将插层MoS2-SnO2混合粉末与爆炸剂混合，进行爆炸反应，冷却至室温后取出爆炸反应产物，即得到层状MoS2-SnO2纳米复合材料；
所述的爆炸剂为苦味酸；
所述的爆炸反应的具体过程为：将插层MoS2-SnO2混合粉末与爆炸剂混合均匀，装入高压反应釜中，将高压反应釜抽真空并通入氩气，加热至350～600℃发生爆炸反应，随炉冷却至室温后取出爆炸反应物，即得到层状MoS2-SnO2纳米复合材料。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤一中，所述的二硫化钼粉末与芳香族硫醚的质量比为1:(10～40)。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤二中，所述的高锰酸钾与混合液中的二硫化钼的质量比为(0.5～3):1。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤二中，所述的SnO2纳米粉末与混合液中的二硫化钼的质量比为(0.3～2):1。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤三中，所述的插层MoS2-SnO2混合粉末与苦味酸的质量比1:(0.5～3)。
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