[发明专利]一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计

权利要求书

1.一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计，其特征在于：包括以下步骤：1)绘制坩埚内壁立体图，2)计算坩埚理论容积，3)对单晶材料进行物性分析，4)确定需要装填的单晶原料重量，5)坩埚内部空间的立体拆分方式确认，6)测试单晶原料粉体成型参数与建立数据库，7)成型工艺方案确认与工艺计算，8)选择模具类型，9)选择成型设备，10)编制成型工艺卡。

2.根据权利要求1所述的一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计，其特征在于：步骤3中对单晶材料的物性分析包括单晶的密度、单晶熔体的密度、单晶的热膨胀系数和单晶材料的熔点的分析。

3.根据权利要求1所述的一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计，其特征在于：步骤4中需要装填的单晶原料重量比坩埚的最大理论装填量小15％-25％。

4.根据权利要求1所述的一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计，其特征在于：步骤5中坩埚内部空间的立体拆分包括空间分层拆分和单层拆分。

5.根据权利要求1所述的一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计，其特征在于：步骤6中单晶原料粉体成型参数的测试包括原料粉体的粒度参数、线收缩参数、体积收缩参数、压制方式、压制时间、烧结温度、烧结时间以及相互影响参数测试。

6.根据权利要求1所述的一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计，其特征在于：步骤8中选择的模具包括刚性模具和柔性模具。

7.根据权利要求1所述的一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计，其特征在于：步骤9中选择的成型设备包括液压设备和等静压设备。