[发明专利]一种电子产品硅胶复合材料及制备方法

权利要求书

1.一种电子产品硅胶复合材料，其特征在于：包括由上到下依次复合连接的表面硅胶 层(1)、中间硅胶层(2)以及基材(3)。

2.根据权利要求1所述的电子产品硅胶复合材料，其特征在于：所述基材(3)由PC、PET 或ABS材料制成。

3.根据权利要求2所述的电子产品硅胶复合材料，其特征在于：所述表面硅胶层(1)、中 间硅胶层(2)均由加成型硅胶硫化而成。

4.根据权利要求1所述的电子产品硅胶复合材料，其特征在于：所述中间硅胶层(2)的 厚度在0.10～0.30mm。

5.根据权利要求1所述的电子产品硅胶复合材料，其特征在于：所述表面硅胶层(1)的 厚度在0.01～0.05mm。

6.根据权利要求1所述的电子产品硅胶复合材料，其特征在于：所述表面硅胶层(1)采 用的成分和重量配比如下：

乙烯基聚硅氧烷，其中，Vi＝2.0％60-70份；；

填料20-40份；

含氢聚硅氧烷，1.6％含氢硅油，2-8份；

铂系催化剂，0.0005-5份；

延迟剂0.001-1份；；

色膏0-10份。

7.根据权利要求6所述的电子产品硅胶复合材料，其特征在于：所述中间硅胶层(2)采 用的成分和重量配比如下：

乙烯基聚硅氧烷，其中，Vi＝2.0％60-70份；；

填料20-40份；

含氢聚硅氧烷，1.6％含氢硅油，2-8份；

铂系催化剂，0.0005-5份；

延迟剂0.001-1份；；

色膏0-10份；

YEP-A增粘剂0.5-2份。

8.根据权利要求7所述的电子产品硅胶复合材料，其特征在于：所述乙烯基聚硅氧烷为 至少两个乙烯基直接与Si相连的聚硅氧烷，所述乙烯基位于该聚硅氧烷的链端或侧链；

所述含氢聚硅氧烷为至少有3个氢原子与Si直接相连的聚硅氧烷，所述氢原子位于聚 硅氧烷的链端或侧链，或链端与侧链同时含有与Si直接相连的氢原子，所述氢原子的质量 在含氢聚硅氧烷中占0.1～1.6％；所述含氢聚硅氧烷为直链状、枝状、环状的聚硅氧烷中的 一种或两种以上的混合物；

所述填料为气相法白炭黑、沉淀法白炭黑、硅树脂、硅微粉、碳酸钙、铝硅酸盐、硅澡土、 氧化铝、氢氧化铝、氢氧化镁、二氧化钛中的一种或两种以上的混合物；

所述铂系催化剂为氯铂酸异丙醇溶液、氯铂酸四氢呋喃溶液、氯铂酸-二乙烯基四甲基 二硅氧烷配合物、氯铂酸-1、3、5、7-四乙烯基-1、3、5、7-四甲基-环四硅氧烷中的一种或两 种以上的混合物；所述铂金催化剂中Pt原子的含量为100～500000ppm；

所述延迟剂为甲基丁炔醇、乙炔基环己醇、含炔基的马来酸或其衍生物、含炔基的富马 来酸或其衍生物、多乙烯基聚硅氧烷、吡啶、不饱和酰胺类、有机膦或亚磷酸酯中的一种或 两种以上的混合物。

9.一种基于权利要求1至8任一所述的电子产品硅胶复合材料的制备方法，其特征在 于，包括以下步骤：

a，将形成表面硅胶层(1)的加成型液体硅胶涂覆于离型纸或离型膜上，厚度控制在 0.01～0.05mm，在50～180℃温度下硫化1～20分钟，得到表面硅胶层(1)；

b,将中间硅胶层(2)的加成型液体硅胶涂覆于已硫化的表面硅胶层(1)上，厚度控制在 0.10～0.30mm，在50～180℃温度下硫化1～20分钟；

c，将中间硅胶层(2)的加成型液体硅胶涂覆于步骤b已硫化的硅胶层上，贴合基材(3)， 在50～180℃温度下硫化1～20分钟，剥离离型纸或离型膜，即可制得电子产品硅胶复合材 料。