[发明专利]一种电源调节器及射频前端模块

权利要求书

1.一种电源调节器，其特征在于，所述电源调节器包括：控制模块和稳压模块，所述控制模块的第一信号输出端与所述稳压模块的第一信号输入端电连接，所述控制模块的第二信号输出端与所述稳压模块的第二信号输入端电连接；其中，

所述控制模块基于高电子迁移率晶体管HEMT工艺实现，包括控制单元和镜像电流单元；其中，所述控制单元的第一信号输出端与所述镜像电流单元的第一信号输入端电连接，所述控制单元的第二信号输出端与所述镜像电流单元的第二信号输入端电连接，所述控制单元的控制信号输入端用于接收外界使能信号，所述控制单元的电压输入端用于接收驱动电压，所述控制单元用于根据所述使能信号控制所述电源调节器的工作状态，并在所述电源调节器工作时将所述驱动电压传送给所述镜像电流单元；

所述镜像电流单元用于在接收到所述驱动电压时产生第一电流和第二电流，并通过所述控制模块的第一信号输出端向所述稳压模块传送第一电流，通过所述控制模块的第二信号输出端向所述稳压模块传送第二电流，所述第一电流和第二电流为镜像电流；

所述稳压模块基于异质结双极晶体管HBT工艺实现，用于在接收到所述第一电流和第二电流后开始工作，获得不随所述驱动电压变化的输出电压并通过所述稳压模块的信号输出端输出。

2.根据权利要求1所述的电源调节器，其特征在于，所述稳压模块包括：第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻；

其中，所述第二电阻的第一端连接所述控制模块的第二信号输出端，并作为所述稳压模块的信号输出端，其第二端与第二三极管的集电极连接；

所述第二三极管的基极与集电极连接，并与所述第一三极管的基极连接，所述第二三极管的发射极与所述第一电阻的第一端连接；

所述第一三极管的集电极作为所述稳压模块的第一信号输入端，所述第一三极管的发射极与所述第一电阻的第二端连接，同时接地；

所述第一三极管和第二三极管均为N型异质结双极晶体管。

3.根据权利要求2所述的电源调节器，其特征在于，所述第一三极管和第二三极管均为N沟道砷化镓异质结双极晶体管。

4.根据权利要求2或3所述的电源调节器，其特征在于，所述稳压模块还包括：第一电容，所述第一电容的一端接于所述第一三极管基极与第二三极管基极的连接节点，另一端与所述第一三极管的集电极连接。

5.根据权利要求4所述的电源调节器，其特征在于，所述稳压模块还包括增压单元；

所述增压单元串接在所述第二电阻与所述第二三极管之间，用于增加所述电源调节器的输出电压；

所述增压单元由至少一个三极管或至少一个二极管依次串接构成。

6.根据权利要求4所述的电源调节器，其特征在于，所述稳压模块还包括第一滤波单元；

所述第一滤波单元包括第二电容和第三电容，所述第二电容的第一端接于所述第二电阻的第一端，第二端与所述第三电容的第一端连接；所述第三电容的第二端与所述第一三极管的集电极连接。

7.根据权利要求1所述的电源调节器，其特征在于，所述控制单元包括第一晶体管和第二晶体管；

所述第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极的连接节点作为所述控制单元的控制信号输入端；所述第一晶体管的源极作为所述控制单元的第一信号输出端，所述第二晶体管的源极作为所述控制单元的第二信号输出端；所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极连接，作为所述控制单元的电压输入端；

所述第一晶体管和第二晶体管均为N沟道耗尽型高电子迁移率晶体管。