[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，其包含：

一基板，具有相对应的一第一表面与一第二表面；

一第一掺杂层，设置于该第一表面上，并包含一低掺杂区及一高掺杂区；

一第二掺杂层，设置于该第二表面上，并与该第一掺杂层的掺杂类型不同；

一第一钝化层，设置于该第一掺杂层上，并具有一第一钝化层开口，以裸露出该高掺杂区的至少一部分区域；以及

一合金层，设置于裸露的该高掺杂区上，其中该高掺杂区的宽度大于该合金层的宽度，且该高掺杂区的深度大于该低掺杂区的深度。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该高掺杂区的宽度小于该合金层宽度的四倍。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该高掺杂区的深度小于该低掺杂区深度的三倍。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，更包含一第二钝化层，其中该第二钝化层设置于该第二掺杂层上。

5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，更包含依序由一种子层、一导电层与一保护层叠置在该合金层上的一传导层，其中该导电层的宽度不小于该种子层的宽度。

6.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，该合金层为一硅化镍层，以及该传导层由镍、铜、锡或银所组成。

7.一种太阳能电池制造方法，其特征在于，包含下列步骤：

提供一基板，具有相对应的一第一表面及一第二表面；

于该第一表面上形成一第一掺杂层，包含一低掺杂区及一高掺杂区，其中该高掺杂区的深度大于该低掺杂区的深度；

于该第二表面上形成一第二掺杂层，其中该第二掺杂层与该第一掺杂层的掺杂类型不同；

于该第一掺杂层上形成一钝化层；

形成一钝化层开口，以裸露出该高掺杂区的至少一部分区域；

于该钝化层开口上形成一种子层；

经由退火工艺于裸露的该高掺杂区上形成一合金层，其中该高掺杂区的宽度大于该合金层的宽度；

于该种子层上形成一导电层；以及

于该导电层上形成一保护层。

8.如权利要求7所述的太阳能电池制造方法，其特征在于，形成该第一掺杂层的步骤包含：

利用一第一掺杂工艺，于该第一表面形成该低掺杂区；以及

利用一第二掺杂工艺，于该低掺杂区的部分区域形成该高掺杂区。

9.如权利要求8所述的太阳能电池制造方法，其特征在于，该第一掺杂工艺及第二掺杂工艺选自离子布植工艺、二次扩散工艺及掺杂胶网印工艺所构成的群组的其中至少一种。

10.如权利要求7所述的太阳能电池制造方法，其特征在于，该合金层为一硅化镍层、该种子层为镍、该导电层为铜以及该保护层为锡或银所组成。