[发明专利]红外光源及其制作方法

权利要求书

1.一种红外光源的制作方法，包括如下步骤：

S1：提供衬底，并在所述衬底的上表面制作支撑膜；

S2：在所述支撑膜的上表面制作温度传感器，所述温度传感器具有用以与外电路通信连接的引线点；

S3：在所述温度传感器的上方制作绝缘层；

S4：在所述绝缘层的上表面制作加热源，所述加热源具有用以与外电路电性连接的接线点，所述加热源呈蛇形均匀分布于所述绝缘层的上表面；

S5：在所述加热源的上方制作黑体薄膜作为辐射层；

S6：使所述引线点与所述接线点的部分结构向外暴露以与外电路连接。

2.根据权利要求1所述的红外光源的制作方法，其特征在于：所述红外光源的制作方法还包括位于步骤S1之后的步骤S7：在所述衬底的下表面的中间部位向上刻蚀深槽以形成空腔。

3.根据权利要求1所述的红外光源的制作方法，其特征在于：S6步骤具体为：在所述引线点上方刻蚀窗口形成引线通道，使所述引线点背离所述衬底的一侧向上暴露。

4.根据权利要求1所述的红外光源的制作方法，其特征在于：所述衬底为（100）晶向的单晶硅片，所述支撑膜为采用LPCVD沉积的SiN_x薄膜、热氧化法生长的SiO₂薄膜中的一种或两种的组合。

5.根据权利要求1所述的红外光源的制作方法，其特征在于：S2步骤具体为：在所述支撑膜的上表面制作图形化的第一金属薄膜作为温度传感器，所述温度传感器具有分布于两端的两个引线点。

6.根据权利要求5所述的红外光源的制作方法，其特征在于：所述第一金属薄膜选用铂电阻或镍铬合金电阻，S2步骤还包括：制作所述第一金属薄膜前，先在所述支撑膜上制作黏附层。

7.根据权利要求1所述的红外光源的制作方法，其特征在于：所述绝缘层为在所述温度传感器上方采用PECVD沉积的SiN_x薄膜、SiO₂薄膜中的一种或两种的组合。

8.根据权利要求1所述的红外光源的制作方法，其特征在于：S4步骤具体为：在所述绝缘层的上表面制作图形化的第二金属薄膜作为加热源，所述加热源具有两个接线点，且两个所述接线点分别位于所述温度传感器的两侧；所述加热源与所述引线点自上向下在所述衬底上的投影不重叠。

9.根据权利要求8所述的红外光源的制作方法，其特征在于：所述第二金属薄膜选用铂电阻或镍铬合金电阻，S4步骤还包括：制作所述第二金属薄膜前，先在所述绝缘层上制作黏附层。

10.根据权利要求1所述的红外光源的制作方法，其特征在于：所述黑体薄膜的制作方法具体为：通过气相沉积或电镀的方法在所述加热源上方制作在2μm~5μm波长下平均发射率大于0.8的金黑薄膜、铂黑薄膜、或碳黑薄膜中的一种或多种。

11.根据权利要求1所述的红外光源的制作方法，其特征在于：所述红外光源的制作方法还包括封装步骤：提供一个封装管座，所述封装管座上具有与所述接线点和所述引线点连接的焊盘及与每个所述焊盘连接的引脚；所述焊盘的数量与所述引线点和所述接线点数量的总和相同；将所述红外光源芯片固定于所述封装管座上，并将所述接线点、引线点分别连接至不同的所述焊盘上。

12.一种红外光源，其特征在于：所述红外光源为采用权利要求1~11中任意一项所述的红外光源的制作方法制作的红外光源。