[发明专利]利用等离子体线级联结构反演强扰动电离层参量的方法有效
申请号: | 201610147359.0 | 申请日: | 2016-03-16 |
公开(公告)号: | CN105699973B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 李海英;程木松;徐彬;吴振森;吴军 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | G01S13/95 | 分类号: | G01S13/95 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)11316 | 代理人: | 赵永伟 |
地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 等离子体 级联 结构 反演 扰动 电离层 参量 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种基于异常非相干散射等离子体线功率谱的级联结构反演强扰动电离层参量的方法,采用异常非相干散射等离子体线功率谱的级联结构和参量衰变不稳定性理论反演强扰动电离层参量的方法,该方法能够很大程度提高反演精度,是获取强扰动电离层参量的一种新方法。
背景技术
扰动电离层区域状态的探测是电离层加热异常特征实验和理论研究的重要部分之一。非相干散射雷达是电离层地面探测最为强大的手段之一。目前基于非相干散射雷达数据反演电离层参量使用的是平衡态非相干散射理论,但该方法并不能够很好地分析加热扰动电离层参量,尤其对于加热效应明显的强扰动区域。为了分析加热强扰动条件下的电离层状态建立了一些包括人工场向不规则体的非相干散射模型和碰撞等离子体非相干散射模型等理论,但在剧烈扰动区域,非相干散射功率谱的增强幅度多达数个量级的情况下,这些修正的非相干散射理论使用也会受限,使强扰动区域电离层参量的反演遇到巨大困难。
发明内容
本发明提供一种利用等离子体线级联结构反演强扰动电离层参量的方法,提取强扰动区域相应电离层高度的功率谱级联结构中相邻谱线频差,分析频差具有的规律性,根据参量不稳定性理论中低频振荡波特性获得电子温度和电子密度等参量。解决现有技术存在的在剧烈扰动区域,非相干散射功率谱的增强幅度多达数个量级的情况下,修正的非相干散射理论使用会受限,使强扰动区域电离层参量的反演遇到巨大困难得问题。
本发明采用的技术方案是:一种利用等离子体线级联结构反演强扰动电离层参量的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)由非相干散射雷达观测数据,提取电离层加热实验引起的强扰动区域具有级联结构的异常非相干散射等离子体线功率谱;
(2)对具有级联结构的异常非相干散射等离子体线功率谱中的相关峰值频差进行统计;
(3)确定电离层加热过程中出现的低频波频率,具体包括离子的等离子体频率fpi,离子的磁旋频率fci和离子声波频率fIA;
(4)将步骤(2)中统计的频差与步骤(3)中计算得到的低频波频率进行对比,确定该级联结构是由电离层加热中参量衰变不稳定中哪种低频波产生的;
(5)根据步骤(4)的结果,如果该级联结构频差与离子的等离子体频率一致,则根据fpi的计算公式可以获得电子密度;如果该级联结构的频差与离子声波频率fIA相等,则由离子声波的色散方程可以获得电子密度和电子温度。
本发明的优点是:该方法能够很大程度提高反演精度,是获取强扰动电离层参量的一种新方法。
具体实施方式
本发明一种基于非相干散射等离子体线功率谱的级联结构反演强扰动电离层参量的方法,包括以下步骤:
1)由非相干散射雷达观测数据,提取电离层加热实验引起的强扰动区域具有级联结构的异常非相干散射等离子体线功率谱。具体的实施方法是:
根据参量衰变不稳定性激发需要的电场阈值判断本次实验是否发生了参量衰变不稳定性。电场阈值计算公式为:
其中υe是电子碰撞频率,kb是玻尔兹曼常熟,ne是电子密度,Bmax为与电子温度和离子温度比值相关的系数,ε0为真空中的介电常数,ωpe是电子等离子体频率,Ti是离子温度。
通过上述判断,确定具有级联结构的异常非相干散射等离子体线功率谱是由参量衰变不稳定性引起的。具体的判断方法是:
将相关参数的值代入阈值公式计算获得EPDI,根据(ERP是有效辐射功率,z是电离层高度)计算加热电波在反射高度处的电场强度,讲两者对比,如果E(z)≥|EPDI|,则说明参量衰变不稳定性被激发,也就是说该级联结构是由参量衰变不稳定性引起的。
2)对具有级联结构的异常非相干散射等离子体线功率谱中的相关峰值频差进行统计。具体的实施方法是:
电离层加热引起的异常非相干散射等离子体线功率谱的级联结构会同时具有多个峰值。首先记录谱线中多个峰值对应的频率,计算第二个峰值对应频率与第一个峰值对应频率的差,第三个峰值对应频率与第二个峰值对应频率的差,直到第n个峰值对应频率与第n-1个峰值对应频率的差值。然后将统计的相邻峰值频差列表比较,通常这组数据是近似相等的。
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