[发明专利]一种在铝衬底上外延生长的AlGaN薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种在铝衬底上外延生长AlGaN薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）取Al衬底，在Al衬底表面进行退火处理；

2）外延生长AlGaN薄膜：将步骤1）处理后的Al衬底，以Al（111）面为外延面，利用激光烧蚀GaN靶材在Al衬底上外延生长AlGaN薄膜；

以Al（111）面偏（100）面方向0.2-0.5°为外延面；

晶体外延取向关系为：AlGaN的（0002）面平行于Al（111）面。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1）中，所述表面退火处理方法为：在真空条件下，将Al衬底加热至550-600℃，烘烤20-30 min，除去Al衬底表面残余的杂质。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2）中，采用脉冲激光束沉积外延生长AlGaN薄膜。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2）中，工艺条件为：衬底温度为100-700℃。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2）中，工艺条件为：衬底温度为300-600℃。

6.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于，步骤2）中，工艺条件为：采用脉冲激光轰击高纯GaN靶材，同时通入N₂等离子体，反应室压力为1-10 mTorr、激光能量为200-250 mJ，激光频率为10-40 Hz，AlGaN薄膜生长厚度为200-300 nm；

所述高纯GaN靶材的浓度不小于99.99%。

7.由权利要求1-6任一项所述的方法制备的AlGaN薄膜。