[发明专利]横向扩散场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种横向扩散场效应晶体管，其特征在于，包括：

第一导电类型掺杂的漂移区，形成于第二导电类型半导体衬底中；

第二导电类型掺杂的沟道区，形成于所述半导体衬底中；所述漂移区由深阱组成，所述沟道区形成于所述漂移区中；

在所述漂移区中形成有第二导电类型掺杂的第一埋层且所述第一埋层延伸到所述沟道区的底部，所述第一埋层具有一横向间隔，所述横向间隔位于所述沟道区侧面的所述漂移区底部且所述横向间隔将所述沟道区的侧面和所述漂移区形成的横向结露出，在所述横向间隔处延伸到所述沟道区底部的所述第一埋层的侧面和所述漂移区形成横向结，所述横向间隔用于增加源漏电流的通路；

在所述横向间隔底部的所述漂移区中形成有第二导电类型掺杂的第二埋层，所述第二埋层用于增加对所述横向间隔顶部的所述漂移区的耗尽，并使所述横向间隔顶部的所述漂移区能在漏端电压的初始阶段被充分耗尽、防止初始击穿。

2.如权利要求1所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于：所述第一埋层的所述横向间隔为5微米以上。

3.如权利要求1所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于：所述第二埋层的掺杂浓度为所述第一埋层的掺杂浓度的2倍～5倍。

4.如权利要求1所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于：所述第二埋层的两侧和所述第一埋层有横向交叠。

5.如权利要求4所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于：所述第二埋层的每一侧和所述第一埋层的横向交叠小于1微米。

6.如权利要求1所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于：所述第一埋层和所述第二埋层都采用离子注入加快速热退火激活实现，所述第二埋层的离子注入的能量是所述第一埋层的离子注入的能量的1.5倍，所述第二埋层的离子注入的剂量是所述第一埋层的离子注入的剂量的2倍～5倍。

7.如权利要求1至6中任一权利要求所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于：横向扩散场效应晶体管为N型器件，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

8.如权利要求1至6中任一权利要求所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于：横向扩散场效应晶体管为P型器件，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

9.如权利要求1至6中任一权利要求所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于，横向扩散场效应晶体管还包括：

形成于所述半导体衬底上方的多晶硅栅，所述多晶硅栅和所述半导体衬底表面隔离有栅介质层，在横向上所述多晶硅栅从所述沟道区上方延伸到所述漂移区上方，被所述多晶硅栅覆盖的所述沟道区表面用于形成沟道；所述多晶硅栅的第一侧面位于所述沟道区上方、第二侧面位于所述漂移区上方；

第一导电类型重掺杂的源区和漏区，所述源区形成于所述沟道区中并和所述多晶硅栅的第一侧面自对准，所述漏区形成于所述漂移区中。

10.如权利要求9所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于,所述横向扩散场效应晶体管还包括：

第二导电类型重掺杂的沟道引出区，所述沟道引出区形成于所述沟道区中并用于将所述沟道区引出，所述沟道引出区和所述源区横向接触。

11.如权利要求9所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于,所述横向扩散场效应晶体管还包括：

场氧，位于所述沟道区和所述漏区之间的所述漂移区上方，所述场氧的第二侧和所述漏区横向接触，所述场氧的第一侧和所述沟道区相隔一段距离；所述多晶硅栅延伸到所述场氧上方。