[发明专利]深紫外光发光二极管芯片

权利要求书

1.一种深紫外光发光二极管芯片，包含：一个透光基板、一个发光单元、一个电极单元、一层电子阻挡层，及一层光学层；该发光单元包括由该透光基板的一个表面依序形成的一层缓冲层、一层n型氮化铝镓层、一层多重量子阱层，与一层p型氮化铝镓层；该电极单元包括一个设置于该n型氮化铝镓层上的第一电极，与一个设置于该p型氮化铝镓层上的第二电极；其特征在于：该电子阻挡层设置于该多重量子阱层与该p型氮化铝镓层间，是以铝含量渐变的氮化铝镓Al_(x)Ga_(1-x)N为材料所构成，且x介于0.05至0.8，该铝含量的x值以邻近该p型氮化铝镓层至远离该p型氮化铝镓层是先由一个第一含量值递减至一个第二含量值，再由该第二含量值递增至一个第三含量值，且该第三含量值小于该第一含量值；且该光学层形成于该透光基板相对于该发光单元的另一个表面，该光学层的材料是选自二氧化硅，或二氧化硅及二氧化铪的一组合，且折射率介于1.0与该透光基板的折射率间。

2.如权利要求1所述的深紫外光发光二极管芯片，其特征在于：该光学层具有多层折射率由邻近该透光基板向远离该透光基板的方向递减的光学膜，且以该每一层光学膜的二氧化硅及二氧化铪的含量总合为100％计，该二氧化硅的含量介于50％至100％。

3.如权利要求1所述的深紫外光发光二极管芯片，其特征在于：该第一含量值介于0.35至0.8，该第二含量值介于0.05至0.35，且该第三含量值介于0.35至0.6。

4.如权利要求3所述的深紫外光发光二极管芯片，其特征在于：该第一含量值、第二含量值，及第三含量值分别为0.65、0.15，及0.2。

5.一种深紫外光发光二极管芯片，包含：一个发光单元、一个电极单元、一层电子阻挡层，及一层光学层；该发光单元包括依序形成的一层缓冲层、一层n型氮化铝镓层、一层多重量子阱层，与一层p型氮化铝镓层；该电极单元包括一个设置于该n型氮化铝镓层上的第一电极，与一个设置于该p型氮化铝镓层上的第二电极；其特征在于：该电子阻挡层设置于该多重量子阱层与该p型氮化铝镓层间，是以铝含量渐变的氮化铝镓Al_(x)Ga_(1-x)N为材料所构成，且x介于0.05至0.8，该铝含量的x值以邻近该p型氮化铝镓层至远离该p型氮化铝镓层是先由一个第一含量值递减至一个第二含量值，再由该第二含量值递增至一个第三含量值，且该第三含量值小于该第一含量值；且该光学层形成于该发光单元相对于该电极单元的另一个表面，该光学层的材料是选自二氧化硅、二氧化铪，或前述的一组合，且折射率介于1.0至2.3。

6.如权利要求5所述的深紫外光发光二极管芯片，其特征在于：该光学层具有多层折射率由邻近该发光单元向远离该发光单元的方向递减的光学膜，且以该每一层光学膜的二氧化硅及二氧化铪的含量总合为100％计，该二氧化硅的含量介于0％至100％。

7.如权利要求5所述的深紫外光发光二极管芯片，其特征在于：该第一含量值介于0.35至0.8，该第二含量值介于0.05至0.35，且该第三含量值介于0.35至0.6。

8.如权利要求7所述的深紫外光发光二极管芯片，其特征在于：该第一含量值、第二含量值，及第三含量值分别为0.65、0.15，及0.2。