[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610149265.7 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN105789404A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 卫婷;齐胜利;沈燕;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种GaN基发光二极管芯片，所述GaN基发光二极管芯片包括衬底、 以及依次层叠在所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述P型层上设有从 所述P型层延伸到所述N型层的台阶，所述P型层上依次设有电流阻挡层、电 流扩展层、P型电极，所述N型层上设有N型电极，钝化层覆盖在所述N型层、 所述电流扩展层、以及所述台阶的侧壁上，其特征在于，所述GaN基发光二极 管芯片还包括设置在所述台阶的侧壁和所述钝化层之间的光学增透膜，所述光 学增透膜的折射率介于GaN的折射率和所述钝化层的折射率之间。
2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片，其特征在于，所述光学 增透膜的折射率为1.5～2.5。
3.根据权利要求2所述的GaN基发光二极管芯片，其特征在于，所述光学 增透膜的材料采用SiN或SiON。
4.根据权利要求1-3任一项所述的GaN基发光二极管芯片，其特征在于， 所述光学增透膜的厚度为所述发光层发出的光在所述光学增透膜中波长的四分 之一的奇数倍。
5.根据权利要求1-3任一项所述的GaN基发光二极管芯片，其特征在于， 所述光学增透膜的边缘与所述台阶的侧壁中心的间距为5～10μm。
6.一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包 括：
在衬底上依次生长N型层、发光层、P型层；
在所述P型层上设置从所述P型层延伸到所述N型层的台阶；
在所述P型层上形成电流阻挡层和电流扩展层；
在所述台阶的侧壁形成光学增透膜；
在所述电流扩展层上设置P型电极，在所述N型层上设置N型电极；
在所述电流扩展层、所述N型层、所述台阶的侧壁、以及所述光学增透膜 上形成钝化层，所述光学增透膜的折射率介于GaN的折射率和所述钝化层的折 射率之间。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述光学增透膜的折射 率为1.5～2.5。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述光学增透膜的材料 采用SiN或SiON。
9.根据权利要求6-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述光学增透 膜的厚度为所述发光层发出的光在所述光学增透膜中波长的四分之一的奇数 倍。
10.根据权利要求6-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述光学增透 膜的边缘与所述台阶的中心的侧壁间距为5～10μm。
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